[發明專利]監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法有效
| 申請號： | 201210238322.0 | 申請日： | 2012-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN103545227A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 李健 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 監控 半導體器件 中磷硅 玻璃 濃度 方法 | ||
1.一種監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，包括下列步驟：
根據目標磷硅玻璃層的厚度，采用與所述目標磷硅玻璃層相同的淀積工藝在第一晶圓上淀積磷硅玻璃形成磷硅玻璃結構；所述磷硅玻璃結構包括底部的第一磷硅玻璃層和位于第一磷硅玻璃層上的第二磷硅玻璃層，所述第二磷硅玻璃層的濃度大于所述第一磷硅玻璃層的濃度；
測所述磷硅玻璃結構的磷濃度，得到磷濃度曲線；
根據磷濃度曲線，判斷所述第一磷硅玻璃層的厚度；
根據所述第一磷硅玻璃層的厚度，采用與所述目標磷硅玻璃層相同的淀積工藝在第二晶圓上淀積第三磷硅玻璃層，所述第三磷硅玻璃層的厚度不小于所述第一磷硅玻璃層的厚度且小于所述第一磷硅玻璃層的兩倍厚度；
測所述第三磷硅玻璃層的磷濃度。
2.根據權利要求1所述的監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述根據磷濃度曲線，判斷所述第一磷硅玻璃層的厚度的步驟是從所述第一磷硅玻璃層的底部起，當所述磷濃度曲線上某點的斜率小于預設的經驗值時，將該點至所述第一磷硅玻璃層底部的厚度判定為第一磷硅玻璃層的厚度。
3.根據權利要求1所述的監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述目標磷硅玻璃層的厚度為
4.根據權利要求3所述的監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述第一磷硅玻璃層的厚度為
5.根據權利要求1-4中任意一項所述的監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述磷硅玻璃結構還包括位于所述第一磷硅玻璃層和第二磷硅玻璃層之間的過渡層，所述得到磷濃度曲線后還包括獲取所述過渡層的厚度的步驟，所述第三磷硅玻璃層的厚度為第一磷硅玻璃層的厚度加上過渡層的厚度。
6.根據權利要求5所述的監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述第三磷硅玻璃層的厚度為
7.根據權利要求1所述的監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述半導體器件為閃存。
8.一種監控半導體器件中磷硅玻璃層的磷濃度的方法，包括下列步驟：采用與目標磷硅玻璃層相同的淀積工藝，在晶圓上淀積的磷硅玻璃形成第三磷硅玻璃層；
測所述第三磷硅玻璃層的磷濃度。
9.根據權利要求8所述的磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述第三磷硅玻璃層的厚度為
10.根據權利要求8或9所述的磷硅玻璃層的磷濃度的方法，其特征在于，所述半導體器件為閃存。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
