[發(fā)明專利]光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210238085.8
• 申請日: 2012-07-11
• 公開（公告）號: CN102738307A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王成林
• 申請（專利權(quán)）人: 遼寧朝陽光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：其包括如下工藝步驟：

1)、在P型晶體硅襯底上制備正、反絨面；

2)、正、反兩面均有絨面結(jié)構(gòu)的晶硅襯底放置入閉管式擴散爐中，對P型晶體硅襯底進行磷擴散，形成PN結(jié)；

3)、利用平板等離子增強化學(xué)氣相淀積，在表面進行非晶硅薄膜的沉積；

4)、利用退火爐對具有非晶硅薄膜的晶體硅襯底進行快速熱退火，退火過程形成硅納米晶；

5)、在晶硅襯底表面淀積一薄層金屬薄膜，再利用平板等離子增強化學(xué)氣相淀積沉積非晶硅薄膜，從而形成金屬薄膜/非晶硅薄膜；

6)、利用退火爐熱退火的方式對具有金屬薄膜/非晶硅薄膜的硅襯底進行退火而形成Si納米晶；

7)、利用管式或者平板式等離子增強化學(xué)氣相淀積方法在襯底正面淀積Si₃N₄減反膜；

8)、利用絲網(wǎng)印刷機在晶體硅襯底背面和正面分別進行正、負電的絲網(wǎng)印刷，分別形成電池的正極和負極；

9)、對正極和負極退火處理，完成該光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池。

2.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟1)中的P型晶體硅襯底為p型125mm×125mm單晶硅片、156mm×156mm單晶硅片或156×156mm多晶硅片，其厚度為180微米至250微米之間，其放置于NaOH、Na₂SiO₃和無水乙醇混合而成的制絨液中進行各向異性腐蝕。

3.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟2)中進行磷擴散時所采用的擴散源為液態(tài)POCl₃，利用氮氣作為載氣對POCl₃進行氣體輸送，擴散出的雙面PN結(jié)的結(jié)深在200-500微米之間，擴散完后利用酸洗去掉正反面的磷硅玻璃。

4.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟3)中的所述非晶硅薄膜的厚度在1nm-30nm，沉積溫度不高于600度。

5.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟4)的退火過程中使用氮氣氣氛保護，退火溫度為700-900℃之間，退火時間為20-500s。

6.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟5)采用的沉積方法為磁控濺射或者電子束蒸發(fā)，其薄層金屬薄膜的厚度為1nm-30nm；所述金屬薄膜/非晶硅薄膜的厚度為1nm-30nm。

7.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟6)的退火過程中使用氮氣氣氛保護，退火溫度為400-650℃，退火時間為30-1000s。

8.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述Si₃N₄減反膜厚度在70nm-120nm之間。

9.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟8)中對背面進行絲網(wǎng)印刷鋁銀漿料，在正面印刷銀漿料。

10.如權(quán)利要求1所述的光譜散射共振調(diào)制高效晶硅太陽能電池制備方法，其特征在于：所述步驟9)中正面的負電極、背面的正電極同時退火，退火過程中無特殊氣氛保護。