[發(fā)明專利]一種高溫超導(dǎo)Josephson雙晶結(jié)的制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210238011.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-07-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102738381A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許偉偉;花濤;安德越;陳健;吳培亨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L39/24 | 分類號(hào): | H01L39/24 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 邱興天 |
| 地址: | 210093 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高溫 超導(dǎo) josephson 雙晶 制備 方法 | ||
1.一種高溫超導(dǎo)Josephson雙晶結(jié)的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)采取先做先驅(qū)膜再進(jìn)行后處理的方式,在雙晶基底片上制備超導(dǎo)薄膜;
(2)采用真空熱蒸發(fā)鍍銀的方法,在超導(dǎo)薄膜上蒸鍍銀膜電極;
(3)在蒸好銀的薄膜上制備出掩膜圖形:在超導(dǎo)薄膜上甩上一層AZ正性光刻膠,曝光、顯影后得到微橋圖形;
(4)將光刻顯影好的掩膜圖形樣品,放入稀磷酸中刻蝕薄膜;
(5)采用脈沖式刻蝕對(duì)磷酸刻蝕后的樣品進(jìn)行離子刻蝕;
(6)用丙酮去除光刻膠;
(7)采用脈沖式刻蝕對(duì)沒有光刻膠保護(hù)的超導(dǎo)薄膜進(jìn)行離子減薄刻蝕。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫超導(dǎo)Josephson雙晶結(jié)的制備方法,其特征在于:步驟(1)中,超導(dǎo)超導(dǎo)薄膜是TlBaCaCuO薄膜、BiSrCaCuO或YBaCuO薄膜。
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