[發明專利]控制溝道厚度的FinFET設計

有效

• 申請號: 201210237611.9
• 申請日: 2012-07-09
• 公開（公告）號: CN102983165A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 吳志強;后藤賢一;謝文興;何炯煦;王志慶;黃靖方
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/04;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底；

在所述襯底上凸起的鰭狀件；所述鰭狀件包括：

內部部分，具有第一帶隙和第一晶體取向；以及

外部部分，在所述內部部分的頂面和側壁上，所述外部部分具有第二帶隙和第二晶體取向，所述第二帶隙小于或等于所述第一帶隙。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述第二晶體取向與所述第一晶體取向相同。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述鰭狀件還包括在所述內部部分與所述外部部分之間的中間部分，所述中間部分具有第三帶隙和第三晶體取向，所述第三帶隙大于所述第一帶隙。

4.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底；

在所述襯底上凸起的鰭狀件；所述鰭狀件包括：

內部部分，具有第一晶體取向和第一濃度的摻雜物；以及

外部部分，在所述內部部分的頂面和側壁上，所述外部部分具有第二晶體取向和第二濃度的摻雜物。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中所述第二晶體取向與所述第一晶體取向相同。

6.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底；

在所述襯底上的非平面型晶體管，所述非平面型晶體管包括：

具有第一晶體取向的鰭狀件，所述鰭狀件包括第一導電型的雜質；

在所述鰭狀件內的源極區和漏極區，所述源極區包括第二導電型的雜質，所述第二導電型不同于所述第一導電型；以及

覆蓋層，在所述鰭狀件的頂面和側壁上，所述覆蓋層具有第二晶體取向和小于或等于所述鰭狀件的帶隙。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第二晶體取向與所述第一晶體取向相同。

8.一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：

提供襯底；

在所述襯底的頂面上形成半導體鰭狀件；以及

在所述半導體鰭狀件的頂面和側壁上形成覆蓋層，所述覆蓋層的帶隙小于或等于所述半導體鰭狀件的帶隙。

9.根據權利要求8所述的方法，其中形成所述覆蓋層包括外延生長所述覆蓋層。

10.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

襯底；

在所述襯底上凸出的鰭狀件，所述鰭狀件包括：

內部部分，具有第一帶隙和第一晶體取向；

中間部分，在所述內部部分的頂面和側壁上，所述中間部分具有第二帶隙和第二晶體取向，所述第二帶隙大于所述第一帶隙；以及

外部部分，在所述中間部分的頂面和側壁上，所述外部部分具有第三帶隙和第三晶體取向。