[發明專利]一種判斷硅塊質量的方法及裝置

有效

• 申請號: 201210237553.X
• 申請日: 2012-07-10
• 公開（公告）號: CN102759695A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 何亮;張濤;胡動力;劉俊;雷琦;魯義銘
• 申請（專利權）人: 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及太陽能電池領域，尤其涉及一種判斷硅塊質量的方法及裝置。

背景技術

目前鑄造多晶硅錠的檢測中，硅塊的少子壽命檢測是很重要的環節，少子壽命的大小通常表征了硅塊的電學性能，少子壽命低的硅塊切割成硅片后，制造的太陽能電池轉換效率較低，難以滿足用戶的使用需求。

目前生產流程中的檢測方式主要通過檢測少子壽命平均值來判斷硅塊的質量，并通過設定的少子壽命平均值區間來判斷硅塊頭尾所需去除的長度。而對硅塊去除頭部和尾部的不適宜切片區域后，并沒有較好的方法對可切片區域的質量進行表征。而且，采用現有技術中利用硅塊的平均少子壽命來表征硅塊的質量并不準確，仍有可能導致一些質量較差的硅塊流向切片的流程。

發明內容

本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種判斷硅塊質量的方法及裝置。可以更準確地判斷硅塊的整體質量，有效地減少低效硅片的產出。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種判斷硅塊質量的方法，包括：掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖；

分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例；

根據所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質量。

其中，在所述掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖的步驟之前，還包括：

對所述硅塊表面進行化學鈍化處理。

其中，所述分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例的步驟包括：

調整所述全少子壽命分布圖為灰度圖，其中，所示灰度圖不同區域的灰度值與少子的壽命值一一對應；

計算所述灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例。

其中，所述分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例的步驟包括：

從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數據；

根據所述二維數據計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例。

其中，所述根據所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質量的步驟包括：

判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K；

若是，則所述硅塊中的此區間為好質量區間，保留所述好質量區間等待切片；

若否，則所述硅塊中的此區間為差質量區間，去除所述差質量區間。

相應地，本發明實施例還提供了一種判斷硅塊質量的裝置，包括：

掃描模塊，用于掃描硅塊得到所述硅塊的全少子壽命分布圖；

分析模塊，用于分析所述全少子壽命分布圖得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例；

判斷模塊，用于根據所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例判斷所述硅塊的質量。

其中，所述掃描模塊掃描所述硅塊時采用高精度逐行掃描。

其中，所述掃描模塊進一步用于調整所述全少子壽命分布圖為灰度圖，其中，所示灰度圖不同區域的灰度值與少子的壽命值一一對應，所述分析模塊進一步用于計算所述灰度圖中不同灰度值圖案所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內不同灰度值圖案的比例，得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例。

其中，所述分析模塊還用于從所述全少子壽命分布圖中讀取全少子壽命分布的二維數據，根據所述二維數據計算得到所述硅塊中低少子壽命所占的比例及從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內低少子壽命的比例。

其中，所述判斷模塊進一步用于判斷從所述硅塊頭部到尾部的各個區間內，所述低少子壽命所占的比例是否小于比例閾值K；

若是，則所述硅塊中的此區間為好質量區間，保留所述好質量區間等待切片；

若否，則所述硅塊中的此區間為差質量區間，去除所述差質量區間。

實施本發明實施例，具有如下有益效果：