[發明專利]一種基于液晶材料的可調諧超材料光鑷

有效

• 申請號: 201210237508.4
• 申請日: 2012-07-10
• 公開（公告）號: CN102736274A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 曹暾
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;G21K1/00
• 代理公司: 大連理工大學專利中心 21200
• 代理人: 李寶元;梅洪玉

1.一種基于液晶材料的可調諧超材料光鑷，其特征在于，該超材料是基于多層結構(2)的周期孔陣列；所述的多層結構(2)是通過在玻璃襯底(1)上生長金屬層(3)、液晶材料層(4)、金屬層(3)和氧化層(5)而成，金屬層的寬度在1微米至2厘米、高度在20納米至10微米，液晶材料層寬度在1微米至2厘米、高度在20納米至10微米；氧化層寬度在1微米至2厘米、高度在1納米至1微米；所述的周期性孔矩陣孔(7)是三角形、方形、圓形、橢圓形、弧形、十字形、六邊形；孔的寬度在20納米至1微米，高度在60納米至30微米。

2.根據權利要求1所述的可調諧超材料光鑷，其特征在于，金屬層是Al、Ag、Au、Cu、Ni。

3.根據權利要求1所述的可調諧超材料光鑷，其特征在于，液晶材料層是向列相液晶，近晶相液晶，膽甾相液晶，碟型液晶，熱致液晶，重現性液晶，手性液晶，負性液晶，端烯類液晶，嘧啶類液晶，含氟類液晶，炔類液晶，乙烷類液晶，苯基環己烷類液晶。

4.根據權利要求1所述的可調諧超材料光鑷，其特征在于，氧化層是In₂O₃，SnO₂，ITO。

5.根據權利要求1所述的可調諧超材料光鑷，其特征在于，多層結構通過材料生長工藝實現，包括電子束蒸發、金屬有機化合物化學氣相沉淀、氣相外延生長、分子束外延。

6.根據權利要求1所述的可調諧超材料光鑷，其特征在于，周期性孔矩陣通過干法或者濕法刻蝕工藝實現，包括電子束曝光、聚焦離子束曝光、反應離子束刻蝕。