[發明專利]一種多點接觸模式下的大面積硅表面織構化加工方法有效
| 申請號： | 201210237442.9 | 申請日： | 2012-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN102730631A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 錢林茂;吳治江;余丙軍;郭劍;宋晨飛;周仲榮 | 申請（專利權）人： | 西南交通大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都博通專利事務所 51208 | 代理人： | 陳樹明 |
| 地址： | 610031 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多點 接觸 模式 大面積 表面 織構化 加工 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多點接觸模式下的大面積硅表面織構化加工方法，其步驟是：
(1)將硅(100)單晶片置于多點接觸板垂直下方位置，再使硅(100)單晶片與多點接觸板兩者垂直相對運動至發生接觸，并達到設定的接觸載荷F；其中，多點接觸板的具體構成是：基底上固定有多個曲率半徑為500nm～250μm的微球，多個微球的頂點處于同一平面上；
(2)在設定的接觸載荷F下，使多點接觸板和硅(100)單晶片按照設定軌跡相對運動，使多點接觸板對硅(100)單晶片進行刻劃；
(3)刻劃完成后，使硅(100)單晶片脫離多點接觸板，再將硅(100)單晶片放入質量分數為15～25％的KOH溶液中，腐蝕3～8分鐘，即在硅(100)單晶片上加工出相應的織構化結構。
2.根據權利要求1所述的一種多點接觸模式下的大面積硅表面織構化加工方法，其特征在于，所述的步驟(2)的刻劃過程中，所述的硅(100)單晶片與多點接觸板始終保持平行。
3.根據權利要求1所述的一種多點接觸模式下的大面積硅表面織構化加工方法，其特征在于，所述的設定的接觸載荷F為1～600mN/微球。
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