[發明專利]單電子晶體管核心結構制備方法及單電子晶體管核心結構有效
| 申請號: | 201210237333.7 | 申請日: | 2012-07-10 |
| 公開(公告)號: | CN103545359A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發明(設計)人: | 王強斌;陳中 | 申請(專利權)人: | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L29/76 | 分類號: | H01L29/76;H01L29/66;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 楊林;馬翠平 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 晶體管 核心 結構 制備 方法 | ||
1.一種單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
a、構建二維DNA基底;
b、用單鏈DNA對納米顆粒進行修飾,并用與修飾納米顆粒的單鏈DNA不同的單鏈DNA對第一金納米棒、第二金納米棒和第三金納米棒進行修飾;
c、將經單鏈DNA修飾過的第一金納米棒、第二金納米棒、第三金納米棒和納米顆粒與二維DNA基底進行雜交,從而在二維DNA基底上形成由第一金納米棒、第二金納米棒、第三金納米棒和納米顆粒形成的單電子晶體管核心結構,
其中,二維DNA基底上連接有伸出二維DNA基底平面的與修飾納米顆粒、第一金納米棒、第二金納米棒和第三金納米棒的單鏈DNA互補的單鏈DNA探針,與修飾第一金納米棒、第二金納米棒和第三金納米棒中的一個金納米棒的單鏈DNA互補的單鏈DNA探針是在二維DNA基底上成直線排列的多條單鏈DNA探針。
2.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,與修飾納米顆粒的單鏈DNA互補的單鏈DNA探針至少為三條,且所述至少三條單鏈DNA探針的序列相同。
3.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,在二維DNA基底上成直線排列的多條單鏈DNA探針至少為六條,且所述至少六條單鏈DNA探針的序列相同。
4.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,通過DNA自組裝技術來構建二維DNA基底。
5.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,所述納米顆粒為金納米顆粒、銀納米顆粒或量子點。
6.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,納米顆粒的直徑小于等于5nm。
7.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,在步驟b中用單鏈DNA對納米顆粒、第一金納米棒、第二金納米棒和第三金納米棒修飾之后,將多余的單鏈DNA除去。
8.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,在步驟b中,用于修飾納米顆粒、第一金納米棒、第二金納米棒和第三金納米棒的單鏈DNA為巰基DNA。
9.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,在步驟c中的雜交溫度低于二維DNA基底的解鏈溫度。
10.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括純化單電子晶體管核心結構的步驟。
11.一種單電子晶體管核心結構,其特征在于,所述單電子晶體管核心結構形成在二維DNA基底上并包括作為庫倫島的納米顆粒、作為源極的第一金納米棒、作為漏極的第二金納米棒和作為柵極的第三金納米棒,
其中,納米顆粒通過DNA鏈連接到二維DNA基底上,第一金納米棒、第二金納米棒和第三金納米棒通過與連接納米顆粒的DNA鏈不同的多條DNA鏈連接到二維DNA基底上,
其中,與第一金納米棒連接的多條DNA鏈、與第二金納米棒連接的多條DNA鏈和與第三金納米棒連接的多條DNA鏈在二維DNA基底上分別成直線排列。
12.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構,其特征在于,與納米顆粒連接的DNA鏈至少為三條,且所述至少三條DNA鏈的序列相同。
13.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構,其特征在于,在二維DNA基底上成直線排列的多條DNA鏈至少為六條,且所述至少六條DNA鏈的序列相同。
14.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構,其特征在于,納米顆粒為金納米顆粒、銀納米顆粒或量子點。
15.如權利要求1所述的單電子晶體管核心結構,其特征在于,納米顆粒的直徑小于等于5nm。
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