[發(fā)明專(zhuān)利]SRAM型FPGA單粒子功能性中斷的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210236204.6
• 申請(qǐng)日: 2012-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103529380A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王群勇;馮穎;陽(yáng)輝;陳冬梅;陳宇;劉燕芳;白樺
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京圣濤平試驗(yàn)工程技術(shù)研究院有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/317
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/317
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種SRAM型FPGA單粒子功能性中斷的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，包括：試驗(yàn)板、效應(yīng)測(cè)試單元和遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)單元；

所述試驗(yàn)板，采用FPGA，放置在真空靶室內(nèi)，用于接收輻照；

所述效應(yīng)測(cè)試單元，設(shè)置在所述真空靶室外部，連接所述試驗(yàn)板，用于監(jiān)測(cè)所述試驗(yàn)板的單粒子功能性中斷現(xiàn)象；

所述遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)單元，連接所述效應(yīng)測(cè)試單元，用于遠(yuǎn)程控制所述效應(yīng)測(cè)試單元。

2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述真空靶室為T(mén)4真空靶室。

3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述試驗(yàn)板通過(guò)真空轉(zhuǎn)接頭連接所述效應(yīng)測(cè)試單元。

4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)單元通過(guò)50米網(wǎng)線連接所述效應(yīng)測(cè)試單元。

5.一種SRAM型FPGA單粒子功能性中斷的監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，包括步驟：

A：設(shè)置初始LET值的重離子束流對(duì)試驗(yàn)板進(jìn)行輻照；

B：調(diào)整所述試驗(yàn)板的狀態(tài)，判斷所述試驗(yàn)板是否出現(xiàn)以下現(xiàn)象：

監(jiān)測(cè)電流增大，出現(xiàn)功能丟失，在未斷電的情況下重新加載配置程序后功能回讀正常；或者，

監(jiān)測(cè)電流正常，出現(xiàn)所述功能丟失，在未斷電或者斷電的情況下重新加載配置程序后功能回讀正常；

如果是，記錄所述試驗(yàn)板發(fā)生一次單粒子功能性中斷；否則，認(rèn)為所述試驗(yàn)板未發(fā)生單粒子功能性中斷；

C：判斷所述試驗(yàn)板是否滿(mǎn)足以下條件：?jiǎn)瘟Ｗ庸δ苄灾袛嗟拇螖?shù)達(dá)到預(yù)定次數(shù)，或者入射粒子總注量達(dá)到預(yù)定注量；如果是，執(zhí)行步驟D；否則，執(zhí)行步驟B；

D：判斷根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果是否可以擬合得到σ~LET曲線，如果是，擬合得到σ~LET曲線，結(jié)束流程；否則，調(diào)整重離子束流的LET值，然后執(zhí)行步驟B。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟A中，所述試驗(yàn)板被設(shè)置在T4真空靶室內(nèi)接受輻照。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述試驗(yàn)板的狀態(tài)包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟B中，所述功能丟失包括：上電復(fù)位功能丟失，和/或SelectMAP端口的讀或者寫(xiě)功能丟失，和/或幀地址寄存器功能丟失，和/或全局信號(hào)功能丟失，和/或回讀功能丟失，和/或擦洗功能丟失。

9.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟C中，所述預(yù)定次數(shù)為100次。

10.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟C中，所述預(yù)定注量為10⁷ions/cm²。