[發明專利]電子器件和半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201210235274.X
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102867914B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發明（設計）人: 勝原真央
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司11290
• 代理人: 陳桂香,褚海英

1.一種電子器件，所述電子器件至少包含：

第一電極；

第二電極，其被設置成與所述第一電極間隔開；和

活性層，其被設置在所述第一電極上方至所述第二電極上方并且由有機半導體材料形成，

其中，電荷注入層形成在所述第一電極和所述活性層之間以及所述第二電極和所述活性層之間，并且

所述電荷注入層由有機材料的氧化物形成，所述有機材料的氧化物的電傳導率比所述有機材料的高。

2.一種電子器件，所述電子器件至少包含：

第一電極；

第二電極，其被設置成與所述第一電極間隔開；和

活性層，其被設置在所述第一電極上方至所述第二電極上方并且由有機半導體材料形成，

其中，電荷注入層形成在所述第一電極和所述活性層之間以及所述第二電極和所述活性層之間，并且

所述電荷注入層由Weitz型氧化-還原基有機化合物的氧化物形成。

3.一種電子器件，所述電子器件至少包含：

第一電極；

第二電極，其被設置成與所述第一電極間隔開；和

活性層，其被設置在所述第一電極上方至所述第二電極上方并且由有機半導體材料形成，

其中，電荷注入層形成在所述第一電極和所述活性層之間以及所述第二電極和所述活性層之間，并且

所述電荷注入層由π電子數為4n+3的具有環結構的有機化合物的氧化物形成，其中n是正整數。

4.一種電子器件，所述電子器件至少包含：

第一電極；

第二電極，其被設置成與所述第一電極間隔開；和

活性層，其被設置在所述第一電極上方至所述第二電極上方并且由有機半導體材料形成，

其中，電荷注入層形成在所述第一電極和所述活性層之間以及所述第二電極和所述活性層之間，并且

所述電荷注入層由具有二硫屬原子五元環的有機化合物的氧化物形成。

5.一種電子器件，所述電子器件至少包含：

第一電極；

第二電極，其被設置成與所述第一電極間隔開；和

活性層，其被設置在所述第一電極上方至所述第二電極上方并且由有機半導體材料形成，

其中，電荷注入層形成在所述第一電極和所述活性層之間以及所述第二電極和所述活性層之間，并且

所述電荷注入層由具有單硫屬原子六元環的有機化合物的氧化物形成。

6.一種電子器件，所述電子器件至少包含：

第一電極；

第二電極，其被設置成與所述第一電極間隔開；和

活性層，其被設置在所述第一電極上方至所述第二電極上方并且由有機半導體材料形成，

其中，電荷注入層形成在所述第一電極和所述活性層之間以及所述第二電極和所述活性層之間，并且

所述電荷注入層由至少一種下述有機化合物的氧化物形成，所述有機化合物選自包含如下的組：四硫雜富瓦烯及其衍生物、四硫雜并環戊二烯及其衍生物、四硫雜并四苯、六硫代并五苯、吡喃烯及其衍生物和二硫雜吡喃烯及其衍生物。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的電子器件，還包括：

絕緣層；和

控制電極，其被設置成隔著絕緣層而面向位于所述第一電極和所述第二電極之間的所述活性層的部分。

8.根據權利要求7的電子器件，其中

柵電極形成在基體上作為所述控制電極，

柵絕緣層形成在所述柵電極和所述基體上作為所述絕緣層，

一對源/漏電極形成在所述柵絕緣層上作為所述第一電極和所述第二電極，

形成溝道形成區域和溝道形成區域延伸部作為所述活性層，所述溝道形成區域形成在所述一對源/漏電極之間的所述柵絕緣層上，所述溝道形成區域延伸部形成在所述源/漏電極上方，并且

電荷注入層形成在所述源/漏電極和所述溝道形成區域延伸部之間。