[發明專利]一種非接觸卡調制電路

有效

• 申請號: 201210235192.5
• 申請日: 2012-07-09
• 公開（公告）號: CN103544521A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 石道林
• 申請（專利權）人: 國民技術股份有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 薛祥輝

1.一種非接觸卡調制電路，其特征在于，包括：調制單元和控制單元，其中，

調制單元用于對所述非接觸卡待發出的數據信號進行調制；

控制單元用于對所述調制單元的調制強度進行調整。

2.如權利要求1所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述非接觸卡調制電路還包括第一天線電路，所述第一天線電路用于感應讀卡器設備發出的磁場產生第一下拉電流，并將所述第一下拉電流傳輸給所述調制單元；所述調制單元用于控制所述第一下拉電流實現對所述數據信號進行調制；控制單元用于通過調整所述第一下拉電流對所述調制單元的調制強度進行調整。

3.如權利要求2所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述調制單元用于控制所述第一下拉電流的通斷實現對所述數據信號進行調制，并且當所述第一下拉電流導通時，調制單元根據所述第一下拉電流對所述數據信號進行調制。

4.如權利要求3所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述控制單元用于根據所述第一下拉電流，產生控制電流，并通過所述控制電流調整所述第一下拉電流。

5.如權利要求4所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述控制單元包括同步電流子單元和電流控制子單元；所述同步電流子單元用于根據所述第一下電流，產生與所述第一下拉電流呈同步變化的第二下拉電流；所述電流控制子單元用于根據所述第二下拉電流，產生控制電流，并通過所述控制電流調整所述第一下拉電流。

6.如權利要求5所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述電流控制子單元用于通過使所述第一下拉電流與所述控制電流成正比變化的方式，來調整所述第一下拉電流。

7.如權利要求1-6任一項所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述控制單元還包括調整子單元；所述調整子單元用于對所述控制單元的調整幅度進行限制。

8.如權利要求7所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述調整子單元用于當所述第二下拉電流值增加到預設電流閥值范圍內時，減小所述控制電流。

9.如權利要求8所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述調整子單元包括第一PMOS管；所述第一PMOS管的柵極接參考電壓VC，漏極與所述同步電流子單元相連，源極與所述同步電流子單元相連。

10.如權利要求9所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述調制單元包括第一NMOS管；所述第一NMOS管的漏極與所述第一天線電路相連，所述第一NMOS管的源極接地，柵極與所述控制單元相連。

11.如權利要求10所述的非接觸卡調制電路，其特征在于，所述電流控制子單元包括：第二PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管；所述第二PMOS管的源極與所述第一PMOS管的漏極相連，所述第二PMOS管的柵極與所述第二NMOS管的柵極相連，所述第二PMOS管的漏極分別與所述第二NMOS管的漏極、所述第一NMOS管的柵極相連；所述第二NMOS管的源極接地，所述第二PMOS管和第二NMOS管的柵極接收所述非接觸卡待發出的數據信號；所述第三NMOS管的柵極和漏極與所述第一NMOS管的柵極相連，所述第三NMOS管的源極接地。