[發(fā)明專利]一種晶體硅表面織構(gòu)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210233533.5
• 申請(qǐng)日: 2012-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN102751384A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬立云;彭壽;崔介東;王蕓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蚌埠玻璃工業(yè)設(shè)計(jì)研究院;中國(guó)建材國(guó)際工程集團(tuán)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所 34113
• 代理人: 倪波

1.一種晶體硅表面織構(gòu)方法，其特征在于，采用濃度為4~8wt.%?的四乙基氫氧化銨水溶液作為腐蝕劑，所述方法包括以下步驟：

A、腐蝕液的配制

以電阻率>18MW的去離子水和濃度為25wt.%的四乙基氫氧化銨為原料，配制濃度為4~8wt.%的四乙基氫氧化銨水溶液作為腐蝕液；

B、使用帶磁力攪拌器的恒溫水浴鍋?zhàn)鳛榭棙?gòu)裝置，將上述配制好的腐蝕液放入燒杯內(nèi)，加熱升溫至70~77℃，將表面預(yù)處理后的單晶硅片放入腐蝕液中腐蝕，腐蝕過(guò)程中，通過(guò)攪拌磁子保持腐蝕液溫度恒定和濃度均勻，腐蝕完成的單晶硅片用去離子水清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅表面織構(gòu)方法，其特征在于，所述表面預(yù)處理是指，先將單晶硅片在丙酮中進(jìn)行去油脂處理，然后采用20wt.%的NaOH水溶液在75℃條件下腐蝕10min，去除硅片表面的損傷層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅表面織構(gòu)方法，其特征在于，腐蝕時(shí)間為36~40分鐘。