[發明專利]一種偏振不敏感反射式波導光柵波分復用器件

有效

• 申請號: 201210233204.0
• 申請日: 2012-07-05
• 公開（公告）號: CN102749679A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 戴道鋅
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G02B6/293
• 分類號: G02B6/293;G02B6/27
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 林懷禹

1.一種偏振不敏感反射式波導光柵波分復用器件，包括輸入波導（1）、平板波導（2）、反射光柵（8）、以及一條或多條輸出波導（6）；輸入波導（1）與一條或多條輸出波導（6）位于平板波導（2）的同一側，兩者均與平板波導（2）的一端相連，平板波導（2）的另一端與反射光柵（8）相連；其特征在于：在輸入波導（1）與平板波導（2）之間具有一個正向單偏振模式轉換器（3），每條輸出波導（6）與平板波導（2）之間都各自具有一個反向單偏振模式轉換器（7）；所述的反射光柵（8）為凹面光柵（8’），或所述的反射光柵（8）為由波導陣列（81）與反射鏡（82）組成的反射式陣列波導光柵（8’’）。

2.根據權利要求1所述的一種偏振不敏感反射式波導光柵波分復用器件，其特征在于：所述的正向單偏振模式轉換器（3）為1×1正向單偏振模式轉換器，具有一個輸入端口（30）和一個輸出端口（31），從正向單偏振模式轉換器（3）輸入端（30）入射橫磁TM基模時，輸出橫電TE高階模；而從正向單偏振模式轉換器（3）輸入端（30）入射橫電TE基模，輸出仍為橫電TE基模；所述的反向單偏振模式轉換器（7）?為1×1反向單偏振模式轉換器，具有一個輸入端口（70）和一個輸出端口（71），從反向單偏振模式轉換器（7）輸入端（70）入射橫電TE高階模時，輸出橫磁TM基模；而從反向單偏振模式轉換器（7）輸入端（70）入射橫電TE基模，輸出仍為橫電TE基模；

或者是，所述的正向單偏振模式轉換器（3）為1×1正向單偏振模式轉換器，具有一個輸入端口（30）和一個輸出端口（31），從正向單偏振模式轉換器（3）輸入端（30）入射橫電TE基模時，輸出橫磁TM高階模；而從正向單偏振模式轉換器（3）輸入端（30）入射橫磁TM基模，輸出仍為橫磁TM基模；所述的反向單偏振模式轉換器（7）為1×1反向單偏振模式轉換器，具有一個輸入端口（70）和一個輸出端口（71），從反向單偏振模式轉換器（7）輸入端（70）入射橫磁TM高階模時，輸出橫電TE基模；而從反向單偏振模式轉換器（7）輸入端（70）入射橫磁TM基模，輸出仍為橫電TM基模。

3.根據權利要求1所述的一種偏振不敏感反射式波導光柵波分復用器件，其特征在于：所述的正向單偏振模式轉換器（3）為1×2正向單偏振模式轉換器，包含模式轉換區（312）、以及由兩條寬度不等的第一光波導（314a）、第二光波導（314b）所組成的非對稱方向耦合器（314）；模式轉換區（312）與非對稱方向耦合器（314）的第一光波導（314a）相連接，從模式轉換區（312）的輸入端口（3120）入射橫磁TM基模時，經過模式轉換區（312）后轉化為橫電TE高階模，此橫電TE高階模進入非對稱方向耦合器（314）的第一光波導（314a）后交叉耦合到第二光波導（314b）的橫電TE基模，最終從第二光波導（314b）的輸出端口（314b1）輸出橫電TE基模；而從模式轉換區（312）的輸入端口（3120）入射橫電TE基模時，經過模式轉換區（312）后仍然為橫電TE基模，此橫電TE基模進入非對稱方向耦合器（314）的第一光波導（314a）后，最終從第一光波導（314a）的輸出端口（314a1）輸出橫電TE基模；所述的反向單偏振模式轉換器（3）為2×1反向單偏振模式轉換器，包含由兩條寬度不等的第一光波導（712a）、第二光波導（712b）所組成的非對稱方向耦合器（712）、以及模式轉換區（713），從非對稱方向耦合器（712）的第二光波導（712b）的輸入端（712b0）入射橫電TE基模后，交叉耦合到其第一光波導（712a）的橫電TE高階模，再經過模式轉換區（713）后轉化為橫磁TM基模，最終從模式轉換區（713）的輸出端口（7131）輸出橫磁TM基模；而非對稱方向耦合器（712）的第一光波導（712a）的輸入端（712a0）入射橫電TE基模后，經過第一光波導（712a）傳輸至模式轉換區（713），最終從模式轉換區（713）的輸出端口（7131）輸出橫電TE基模；?

或者是，所述的正向單偏振模式轉換器（3）為1×2正向單偏振模式轉換器，包含模式轉換區（312）、以及由兩條寬度不等的第一光波導（314a）、第二光波導（314b）所組成的非對稱方向耦合器（314）；模式轉換區（312）與非對稱方向耦合器（314）的第一光波導（314a）相連接，從模式轉換區（312）的輸入端口（3120）入射橫電TE基模時，經過模式轉換區（312）后轉化為橫磁TM高階模，此高階模進入非對稱方向耦合器（314）的第一光波導（314a）后交叉耦合到第二光波導（314b）的橫磁TM基模，最終從第二光波導（314b）的輸出端口（314b1）輸出橫磁TM基模；而從模式轉換區（312）的輸入端口（3120）入射橫磁TM基模時，經過模式轉換區（312）后仍然為橫磁TM基模，此基模進入非對稱方向耦合器（314）的第一光波導（314a）后，最終從第一光波導（314a）的輸出端口（314a1）輸出橫磁TM基模；所述的反向單偏振模式轉換器（3）為2×1反向單偏振模式轉換器，包含由兩條寬度不等的第一光波導（712a）、第二光波導（712b）所組成的非對稱方向耦合器（712）、以及模式轉換區（713），從非對稱方向耦合器（712）的第二光波導（712b）的輸入端（712b0）入射橫磁TM基模后，交叉耦合到其第一光波導（712a）的橫磁TM高階模，再經過模式轉換區（713）后轉化為橫電TE基模，最終從模式轉換區（713）的輸出端口（7131）輸出橫電TE基模；而非對稱方向耦合器（712）的第一光波導（712a）的輸入端（712a0）入射橫磁TM基模后，經過第一光波導（712a）傳輸至模式轉換區（713），最終從模式轉換區（713）的輸出端口（7131）輸出橫磁TM基模。