[發明專利]一種偏振不敏感陣列波導光柵波分復用器件有效
| 申請號: | 201210233132.X | 申請日: | 2012-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN102736184A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 戴道鋅 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | G02B6/293 | 分類號: | G02B6/293;G02B6/27 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 林懷禹 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 偏振 敏感 陣列 波導 光柵 波分復用 器件 | ||
1.一種偏振不敏感陣列波導光柵波分復用器件,包括一條或多條輸入波導(1)、輸入平板波導(2)、多條陣列波導(4)、輸出平板波導(5)以及一條或多條輸出波導(6),?陣列波導(4)的一端與輸入平板波導(2)相連,陣列波導(4)的另一端與輸出平板波導(5)相連;其特征在于:每條輸入波導(1)與輸入平板波導(2)之間都各自具有一個正向單偏振模式轉換器(3),每條輸出波導(6)與輸出平板波導(6)之間都各自具有一個反向單偏振模式轉換器(7)。
2.根據權利要求1所述的一種偏振不敏感陣列波導光柵波分復用器件,其特征在于:所述的正向單偏振模式轉換器(3)為1×1正向單偏振模式轉換器,具有一個輸入端口(30)和一個輸出端口(31),從正向單偏振模式轉換器(3)輸入端(30)入射橫磁TM基模時,輸出橫電TE高階模;而從正向單偏振模式轉換器(3)輸入端(30)入射橫電TE基模,輸出仍為橫電TE基模;所述的反向單偏振模式轉換器(7)?為1×1反向單偏振模式轉換器,具有一個輸入端口(70)和一個輸出端口(71),從反向單偏振模式轉換器(7)輸入端(70)入射橫電TE高階模時,輸出橫磁TM基模;而從反向單偏振模式轉換器(7)輸入端(70)入射橫電TE基模,輸出仍為橫電TE基模;
或者是,所述的正向單偏振模式轉換器(3)為1×1正向單偏振模式轉換器,具有一個輸入端口(30)和一個輸出端口(31),從正向單偏振模式轉換器(3)輸入端(30)入射橫電TE基模時,輸出橫磁TM高階模;而從正向單偏振模式轉換器(3)輸入端(30)入射橫磁TM基模,輸出仍為橫磁TM基模;所述的反向單偏振模式轉換器(7)?為1×1反向單偏振模式轉換器,具有一個輸入端口(70)和一個輸出端口(71),從反向單偏振模式轉換器(7)輸入端(70)入射橫磁TM高階模時,輸出橫電TE基模;而從反向單偏振模式轉換器(7)輸入端(70)入射橫磁TM基模,輸出仍為橫電TM基模。
3.根據權利要求1所述的一種偏振不敏感陣列波導光柵波分復用器件,其特征在于:所述的正向單偏振模式轉換器(3)為1×2正向單偏振模式轉換器,包含模式轉換區(312)、以及由兩條寬度不等的第一光波導(314a)、第二光波導(314b)所組成的非對稱方向耦合器(314);模式轉換區(312)與非對稱方向耦合器(314)的第一光波導(314a)相連接,從模式轉換區(312)的輸入端口(3120)入射橫磁TM基模時,經過模式轉換區(312)后轉化為橫電TE高階模,此橫電TE高階模進入非對稱方向耦合器(314)的第一光波導(314a)后交叉耦合到第二光波導(314b)的橫電TE基模,最終從第二光波導(314b)的輸出端口(314b1)輸出橫電TE基模;而從模式轉換區(312)的輸入端口(3120)入射橫電TE基模時,經過模式轉換區(312)后仍然為橫電TE基模,此橫電TE基模進入非對稱方向耦合器(314)的第一光波導(314a)后,最終從第一光波導(314a)的輸出端口(314a1)輸出橫電TE基模;所述的反向單偏振模式轉換器(3)為2×1反向單偏振模式轉換器,包含由兩條寬度不等的第一光波導(712a)、第二光波導(712b)所組成的非對稱方向耦合器(712)、以及模式轉換區(713),從非對稱方向耦合器(712)的第二光波導(712b)的輸入端(712b0)入射橫電TE基模后,交叉耦合到其第一光波導(712a)的橫電TE高階模,再經過模式轉換區(713)后轉化為橫磁TM基模,最終從模式轉換區(713)的輸出端口(7131)輸出橫磁TM基模;而非對稱方向耦合器(712)的第一光波導(712a)的輸入端(712a0)入射橫電TE基模后,經過第一光波導(712a)傳輸至模式轉換區(713),最終從模式轉換區(713)的輸出端口(7131)輸出橫電TE基模;?
或者是,所述的正向單偏振模式轉換器(3)為1×2正向單偏振模式轉換器,包含模式轉換區(312)、以及由兩條寬度不等的第一光波導(314a)、第二光波導(314b)所組成的非對稱方向耦合器(314);模式轉換區(312)與非對稱方向耦合器(314)的第一光波導(314a)相連接,從模式轉換區(312)的輸入端口(3120)入射橫電TE基模時,經過模式轉換區(312)后轉化為橫磁TM高階模,此高階模進入非對稱方向耦合器(314)的第一光波導(314a)后交叉耦合到第二光波導(314b)的橫磁TM基模,最終從第二光波導(314b)的輸出端口(314b1)輸出橫磁TM基模;而從模式轉換區(312)的輸入端口(3120)入射橫磁TM基模時,經過模式轉換區(312)后仍然為橫磁TM基模,此基模進入非對稱方向耦合器(314)的第一光波導(314a)后,最終從第一光波導(314a)的輸出端口(314a1)輸出橫磁TM基模;所述的反向單偏振模式轉換器(3)為2×1反向單偏振模式轉換器,包含由兩條寬度不等的第一光波導(712a)、第二光波導(712b)所組成的非對稱方向耦合器(712)、以及模式轉換區(713),從非對稱方向耦合器(712)的第二光波導(712b)的輸入端(712b0)入射橫磁TM基模后,交叉耦合到其第一光波導(712a)的橫磁TM高階模,再經過模式轉換區(713)后轉化為橫電TE基模,最終從模式轉換區(713)的輸出端口(7131)輸出橫電TE基模;而非對稱方向耦合器(712)的第一光波導(712a)的輸入端(712a0)入射橫磁TM基模后,經過第一光波導(712a)傳輸至模式轉換區(713),最終從模式轉換區(713)的輸出端口(7131)輸出橫磁TM基模。
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