[發明專利]一種無結場效應晶體管

有效

• 申請號: 201210232954.6
• 申請日: 2012-07-06
• 公開（公告）號: CN102779851A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 樓海君;林信南;李冰華;何進
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究生院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 郭燕

1.一種無結場效應晶體管，包括源區、溝道區和漏區，所述源區和漏區分別形成在溝道區兩端，其特征在于，所述溝道區與漏區的摻雜類型一致，所述溝道區與漏區的摻雜濃度一致，所述源區為使源區與所述溝道區形成無勢壘結的金屬硅化物。

2.一種無結場效應晶體管，包括源區、溝道區和漏區，所述源區和漏區分別形成在溝道區兩端，其特征在于，所述溝道區與漏區的摻雜類型一致，所述溝道區與漏區的摻雜濃度一致，所述源區的材質為金屬硅化物，所述金屬硅化物中摻雜有稀有金屬，所述稀有金屬的含量使源區與所述溝道區形成無勢壘結。

3.如權利要求2所述的無結場效應晶體管，其特征在于，所述源區的稀有金屬具體為鐿或者鉺。

4.如權利要求1至3中任意一項所述的無結場效應晶體管，其特征在于，所述源區的金屬硅化物具體為鎳硅化合物。

5.如權利要求1或2所述的無結場效應晶體管，其特征在于，所述溝道區與漏區為高摻雜的硅。

6.如權利要求5所述的無結場效應晶體管，其特征在于，所述溝道區和漏區的摻雜濃度在3*10¹⁹cm^-3-8*10¹⁹cm^-3之間。

7.如權利要求1所述的無結場效應晶體管，其特征在于，所述晶體管還包括柵電極層和柵介質層，所述柵介質層形成于柵電極層和溝道區之間。

8.如權利要求7所述的無結場效應晶體管，其特征在于，所述柵電極金屬的功函數范圍為4-5.5電子伏，所述柵介質層為等效厚度為1-2納米的高介電常數的氧化物或者1-2納米的二氧化硅。

9.如權利要求7所述的無結場效應晶體管，其特征在于，所述金屬無結場效應晶體管的結構是絕緣層上硅結構或雙柵或三柵或環柵結構。