[發(fā)明專利]柔性顯示器的制作方法以及制作柔性顯示器的基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210232494.7
• 申請(qǐng)日: 2012-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102769109A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路林;曹建偉;劉衛(wèi)東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島海信電器股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L21/77;H01L51/52
• 代理公司: 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264
• 代理人: 舒麗亞

1.一種柔性顯示器的制作方法，其特征在于，其包括：

在剛性基材的表面形成硅犧牲層；

將柔性基材通過(guò)粘膠層貼附于該硅犧牲層上；

在該柔性基材上制作顯示元件層；以及

利用含氟腐蝕性氣體在常溫條件下蝕刻該硅犧牲層，以氣化該硅犧牲層，從而使得該柔性基材與該剛性基材分離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示器的制作方法，其特征在于，該硅犧牲層的材料為非晶硅、單晶硅或多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柔性顯示器的制作方法，其特征在于，該硅犧牲層的厚度范圍為0.5微米~2微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示器的制作方法，其特征在于，該硅犧牲層的形成方法是濺射法或化學(xué)氣相沉積法。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示器的制作方法，其特征在于，在利用該含氟腐蝕性氣體蝕刻該硅犧牲層之前，更包括切割步驟，以使得該硅犧牲層的側(cè)面暴露出來(lái)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示器的制作方法，其特征在于，該含氟腐蝕性氣體為氟化氙、三氟化氯、三氟化溴以及氟氣。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示器制作方法，其特征在于，利用該含氟腐蝕氣體蝕刻該硅犧牲層時(shí)，該含氟腐蝕性氣體的壓力為小于5托爾，蝕刻時(shí)間為1～180秒。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示器制作方法，其特征在于，在該柔性基材上制作該顯示元件層包括：

在該柔性基材上制作有機(jī)發(fā)光二極管顯示層，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示層包括薄膜晶體管控制電路、導(dǎo)電電極、有機(jī)材料功能層以及金屬電極；以及

封裝該有機(jī)發(fā)光二極管顯示層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的柔性顯示器制作方法，其特征在于，封裝該有機(jī)發(fā)光二極管顯示層的方法包括金屬封裝法、玻璃封裝法、塑料封裝法或薄膜封裝法。

10.一種制作柔性顯示器的基板，其特征在于，其包括剛性基材、硅犧牲層、粘膠層、柔性基材以及顯示元件層，該硅犧牲層位于該剛性基材的表面并位于剛性基材與粘膠層之間，該粘膠層位于該硅犧牲層與該柔性基材之間，該柔性基材位于該顯示元件層與該粘膠層之間，該顯示元件層位于該柔性基材上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作柔性顯示器的基板，其特征在于，該硅犧牲層的材料為非晶硅、單晶硅或多晶硅。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作柔性顯示器的基板，其特征在于，該硅犧牲層的厚度范圍為0.5微米~2微米。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作柔性顯示器的基板，其特征在于，該柔性基材為玻璃薄膜基材、不銹鋼薄膜基材或塑料基材。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作柔性顯示器的基板，其特征在于，該柔性基材的厚度范圍為5?~200微米。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作柔性顯示器的基板，其特征在于，該顯示元件層包括有機(jī)發(fā)光二極管顯示層以及封裝層，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示層包括薄膜晶體管控制電路、導(dǎo)電電極、有機(jī)材料功能層以及金屬電極，該封裝層為金屬封裝層、玻璃封裝層、塑料封裝層或者薄膜封裝層。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作柔性顯示器的基板，其特征在于，該制作柔性顯示器的基板包括多個(gè)柔性顯示面板單元。