[發明專利]用于CVD反應器中的電極固定器的保護性裝置

有效

• 申請號: 201210232308.X
• 申請日: 2012-07-05
• 公開（公告）號: CN102864440A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: B·米勒;H·克勞斯;E·蒙茨;M·索芬
• 申請（專利權）人: 瓦克化學股份公司
• 主分類號: C23C16/54
• 分類號: C23C16/54;C23C16/24;C01B33/027
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東;譚邦會

1.用于保護CVD反應器中電極固定器的裝置，所述裝置包括電極固定器上的適用于容納絲棒的電極，所述電極固定器由導電材料構成，并且安裝在底板的凹進部分中，其中電極固定器與底板之間的中間空間借助于密封材料密封，而密封材料通過保護體保護，保護體由一個或多個部件制得，并以環狀方式布置在電極周圍，保護體的高度至少在電極固定器方向的區段中增加。

2.權利要求1的裝置，其中保護體由多個部件制得，所述部件圍繞電極固定器同心布置。

3.權利要求1或2的裝置，其中保護體的材料選自以下組中：半透明硅石、銀、單晶硅或多晶硅、碳化鎢、碳化硅、硅涂敷石墨、CFC復合材料、鎢和其它的高熔融金屬。

4.權利要求1-3之一的裝置，其中保護體至少部分由半透明硅石或銀構成。

5.權利要求1-4之一的裝置，其中保護體由多個部件制得，所述部件的至少一個由半透明硅石或銀構成。

6.權利要求1-5之一的裝置，其中密封材料另外受保護體保護，所述保護體圍繞電極固定器以環狀方式布置在電極固定器與底板之間的中間空間中。

7.用于生產多晶硅的方法，其包括向CVD反應器中引入含有含硅組分和氫氣的反應氣體，所述CVD反應器含有至少一個絲棒，絲棒位于權利要求1-6之一的裝置上，并借助于所述電極向絲棒提供電力，因此，絲棒通過電流直接流過而被加熱至硅在絲棒上沉積的溫度。