[發明專利]用于晶粒安裝的鍵合層厚度控制

無效

• 申請號: 201210231815.1
• 申請日: 2012-07-05
• 公開（公告）號: CN102867803A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 陳文煒;林兆基;丘允賢;張國源
• 申請（專利權）人: 先進科技新加坡有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L21/58
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司 11214
• 代理人: 周春發

1.一種用于制造半導體封裝件的方法，該方法包含將半導體晶粒安裝在位于處理平臺的襯底上的步驟，該將半導體晶粒安裝在襯底上的步驟還包含有以下步驟：

使用滴涂器將粘合劑滴涂在襯底上；

使用鍵合工具將半導體晶粒鍵合在已經滴涂于襯底的粘合劑上；其后

使用測量設備測量位于處理平臺上的半導體晶粒的下表面和襯底的上表面之間的鍵合層厚度。

2.如權利要求1所述的方法，其中，滴涂粘合劑、安裝半導體晶粒和測量鍵合層厚度的步驟是在處理平臺上的不同位置處進行的，該方法還包含有以下步驟:

移動該襯底相繼至各個位置。

3.如權利要求1所述的方法，其中，該測量設備測量半導體晶粒的上表面的高度和襯底的上表面的高度。

4.如權利要求3所述的方法，該方法還包含有以下步驟：

通過用半導體晶粒上表面的高度減去襯底上表面的高度和半導體晶粒的厚度，計算出鍵合層厚度。

5.如權利要求3所述的方法，其中，半導體晶粒的上表面的高度和襯底的上表面的高度分別在多個點處獲得計量結果。

6.如權利要求5所述的方法，該方法還包含有以下步驟：

檢測該晶粒是否相對于襯底斜置。

7.如權利要求3所述的方法，其中，該測量設備包括激光位移傳感器。

8.如權利要求7所述的方法，其中，激光位移傳感器通過使用激光發射器和激光接收器由激光三角法獲得距離測量而測量各個高度。

9.如權利要求1所述的方法，該方法還包含有以下步驟：

使用和測量設備相連的處理器調節用于將半導體晶粒安裝至襯底上的處理參數，以將鍵合層厚度保持在期望變化范圍以內。

10.如權利要求9所述的方法，其中，該被調節的處理參數為所滴涂的粘合劑數量和/或鍵合半導體晶粒的鍵合水平面。

11.如權利要求9所述的方法，其中，該被調節的處理參數為施加于半導體晶粒上的鍵合力和/或用于控制施加于半導體晶粒上的鍵合力持續時間的鍵合時滯。

12.一種將半導體晶粒安裝在位于處理平臺的襯底上的方法，該方法包含有以下步驟：

使用滴涂器將粘合劑滴涂在襯底上；

使用鍵合工具將半導體晶粒鍵合在已經滴涂于襯底的粘合劑上；其后

使用測量設備測量位于處理平臺上的半導體晶粒的下表面和襯底的上表面之間的鍵合層厚度。

13.一種用于制造半導體封裝件的晶粒安裝裝置，該晶粒安裝裝置包含有：

滴涂器，用于將粘合劑滴涂在襯底上；

鍵合工具，用于將半導體晶粒鍵合在已經滴涂于襯底的粘合劑上；以及

測量設備，用于測量半導體晶粒的下表面和襯底的上表面之間的鍵合層厚度。

14.如權利要求13所述的晶粒安裝裝置，其中，滴涂器、鍵合工具和測量設備設置在不同位置處，該晶粒安裝裝置還包含有:

傳送機構，用于移動該襯底相繼至該各個位置。

15.如權利要求13所述的晶粒安裝裝置，其中，該測量設備被操作來測量半導體晶粒的上表面的高度和襯底的上表面的高度。

16.如權利要求15所述的晶粒安裝裝置，其中，該鍵合層厚度通過用半導體晶粒上表面的高度減去襯底上表面的高度和半導體晶粒的厚度而被計算出。

17.如權利要求15所述的晶粒安裝裝置，其中，該測量設備包括激光位移傳感器。

18.如權利要求13所述的晶粒安裝裝置，該晶粒安裝裝置還包含有：

處理器，其和該測量設備相連，該處理器被操作來調節用于將半導體晶粒安裝至襯底上的處理參數，以將鍵合層厚度保持在期望變化范圍以內。

19.如權利要求18所述的晶粒安裝裝置，其中，該被調節的處理參數為所滴涂的粘合劑數量和/或鍵合半導體晶粒的鍵合水平面。

20.如權利要求18所述的晶粒安裝裝置，其中，該被調節的處理參數為施加于半導體晶粒上的鍵合力和/或用于控制施加于半導體晶粒上的鍵合力持續時間的鍵合時滯。