[發(fā)明專利]一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210231646.1
• 申請(qǐng)日: 2012-07-05
• 公開（公告）號(hào): CN102721658A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李永輝;易宏;黃家新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆明斯派特光譜科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G01N21/31
• 分類號(hào): G01N21/31;B81C1/00
• 代理公司: 北京理工大學(xué)專利中心 11120
• 代理人: 郭德忠;高燕燕

1.一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：其步驟如下：

步驟一，以硅單晶為基體，在其上制備無機(jī)-有機(jī)雜化的多孔SiO₂薄膜為熱絕緣結(jié)構(gòu)薄膜；

步驟二，采用直流磁控濺射法在無機(jī)-有機(jī)雜化的多孔SiO₂薄膜上制備鉑/鈦金屬薄膜為下電極薄膜并采用正膠剝離法完成圖形化，其大小尺寸根據(jù)設(shè)計(jì)要求而定；

步驟三，采用射頻磁控濺射法或溶膠凝膠法在鉑/鈦金屬薄膜上制備光電薄膜并采用干發(fā)及濕發(fā)腐蝕法完成圖形化，其大小尺寸根據(jù)設(shè)計(jì)要求而定；

步驟四，采用直流磁控濺射法或真空熱蒸發(fā)法在光電薄膜上制備上電極薄膜并采用干發(fā)及濕發(fā)腐蝕法完成圖形化，其大小尺寸根據(jù)設(shè)計(jì)要求而定；

步驟五，采用等離子增強(qiáng)化學(xué)沉積法在上電極薄膜上生長(zhǎng)一層芯片保護(hù)層，并按設(shè)計(jì)要求完成劃片；

步驟六，按設(shè)計(jì)要求按常規(guī)方法制備基于阻抗變換的信號(hào)處理電路，并完成芯片與信號(hào)處理電路板之間的粘接及引線焊接；

步驟七，按設(shè)計(jì)要求將芯片與信號(hào)處理電路板封裝于帶紅外窗口及底座的外殼中，即完成了集成式熱釋電光譜探測(cè)器的制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：在步驟二中，所述鉑/鈦金屬薄膜的厚度為50nm～100nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：在步驟三中，所述光電薄膜為鋯鈦酸鉛系列或鈦酸鍶鋇系列鐵電薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：在步驟三中，所述光電薄膜的厚度為400nm～1000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：在步驟四中，所述上電極為鉻/鎳金屬薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：在步驟四中，所述上電極方塊電阻為300Ω～1000Ω。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：在步驟五中，所述芯片保護(hù)層為氮化硅薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種熱釋電光譜探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述氮化硅薄膜的厚度為200nm～500nm。