[發明專利]具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底及其制造方法

有效

• 申請號: 201210230777.8
• 申請日: 2012-07-04
• 公開（公告）號: CN102738339A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 丁海生;李東昇;馬新剛;江忠永;張昊翔;王洋;李超
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，所述鈮酸鋰襯底用于制備LED芯片，其特征在于，所述方法包括：

步驟1：提供一表面平坦的鈮酸鋰襯底，在所述鈮酸鋰襯底表面制作一掩膜圖形；

步驟2：以所述掩膜圖形為掩膜，采用氟基等離子體對掩膜圖形及所述鈮酸鋰襯底進行同步刻蝕；

步驟3：采用氧等離子體對所述鈮酸鋰襯底進行刻蝕，以清除形成在所述鈮酸鋰襯底上的氟化鋰顆粒；

步驟4：多次重復步驟2至步驟3，直至所述掩膜圖形全部消失；

步驟5：繼續采用氟基等離子體刻蝕所述鈮酸鋰襯底，在所述鈮酸鋰襯底表面形成氟化鋰顆粒，以形成具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底，所述圖形化結構的表面具有納米粗糙結構。

2.如權利要求1所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述鈮酸鋰襯底采用鈮酸鋰晶體制作而成。

3.如權利要求1所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，在步驟5之后，所述圖形化結構由圓錐形、多棱錐形、圓臺形、柱形或不規則圖形中的任何一種或幾種的陣列排列形成。

4.如權利要求1所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述掩膜圖形的材料為金屬或非金屬。

5.如權利要求4所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述金屬為鎳或鉻中的任何一種。

6.如權利要求4所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述非金屬為二氧化硅，或為氮化硅，或為氮氧化硅，或為光刻膠。

7.如權利要求1所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述掩模圖形的俯視截面由圓形、扇形、多邊形及不規則圖形中的任何一種或幾種的陣列排列形成。

8.如權利要求1所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述氟基等離子體為由含氟元素的氣體輝光放電產生的高密度等離子體。

9.如權利要求8所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述含氟元素的氣體為六氟化硫、三氟甲烷和四氟化碳中的任何一種或多種。

10.如權利要求9所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述氟基等離子體刻蝕采用的含氟元素的氣體為四氟化碳，四氟化碳的流量為40sccm-80sccm，電感耦合等離子體源功率為300瓦-600瓦，射頻功率為250瓦-350瓦，腔室壓力為10豪托-30豪托，襯底溫度設定為0度-20度，刻蝕時間為3分鐘-5分鐘。

11.如權利要求1所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述氧等離子體為由含氧元素的氣體輝光放電產生的高密度等離子體。

12.如權利要求11所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底的制造方法，其特征在于，所述氧等離子體刻蝕采用的含氧元素的氣體為氧氣，氧氣的流量為20sccm-40sccm，電感耦合等離子體源功率為300瓦-600瓦，射頻功率為0瓦-100瓦，腔室壓力為10豪托-20豪托，襯底溫度設定為0度-20度，刻蝕時間為30秒-50秒。

13.一種具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底，所述具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底用于制備LED芯片，其特征在于，所述具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底由如權利要求1至12中任一項所述的制造方法制造形成，所述鈮酸鋰襯底表面具有圖形化結構，且所述圖形化結構的表面具有納米粗糙結構。

14.如權利要求13所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底，其特征在于，所述圖形化結構由圓錐形、多棱錐形、圓臺形、柱形或不規則圖形中的任何一種或幾種的陣列排列形成。

15.如權利要求13所述的具有圖形化結構的鈮酸鋰襯底，其特征在于，所述鈮酸鋰襯底采用鈮酸鋰晶體制作而成。