[發明專利]溫度緩沖裝置及爐管系統在審
| 申請號： | 201210230765.5 | 申請日： | 2012-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN102751217A | 公開（公告）日： | 2012-10-24 |
| 發明（設計）人： | 王碩;許忠義 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溫度 緩沖 裝置 爐管 系統 | ||
【權利要求書】：
1.一種溫度緩沖裝置，其特征在于，包括：
一管道、一溫度調控裝置及一溫度監測器；
其中，所述溫度調控裝置緊靠并包圍所述管道，所述溫度監測器的探測部分位于所述管道內。
2.如權利要求1所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述管道的材料為石英或白云石。
3.如權利要求1所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述管道的容積為8×10-3m3~1m3。
4.如權利要求1所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述管道的形狀為蛇形。
5.如權利要求1所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述管道的形狀為螺旋形。
6.如權利要求1所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述溫度調控裝置為冷卻裝置。
7.如權利要求6所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述冷卻裝置為水冷系統。
8.如權利要求6所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述冷卻裝置為風冷系統。
9.如權利要求1所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述溫度調控裝置為加熱裝置。
10.如權利要求9所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述加熱裝置為電熱系統。
11.如權利要求1所述的溫度緩沖裝置，其特征在于，所述溫度監測器包括一熱電偶。
12.一種爐管系統，其特征在于，包括：
一如權利要求1~11任一項所述的溫度緩沖裝置；
一打火器；及
一反應腔；
其中，所述打火器與所述溫度緩沖裝置的一端相連，所述溫度緩沖裝置的另一端與所述反應腔相連。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
