[發明專利]半導體器件溫度系數建模方法以及電路設計方法在審
| 申請號： | 201210230691.5 | 申請日： | 2012-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN102799721A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 張昊 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 溫度 系數 建模 方法 以及 電路設計 | ||
1.一種半導體器件溫度系數建模方法，其特征在于包括：
多電壓下溫度系數獲取步驟，用于設置多個不同的電壓值，并且獲取所述多個不同的電壓值下的溫度系數；以及
數學運算步驟，用于通過數學運算根據電壓值與溫度系數的數據組來形成作為溫度系數曲線的擬合曲線。
2.根據權利要求1所述的半導體器件溫度系數建模方法，其特征在于，所述數學運算步驟包括：
數據組繪制步驟，用于利用在多電壓下溫度系數獲取步驟中獲取的電壓值與相應溫度系數的多個數據組在坐標軸中繪制相應的繪制點；以及
擬合曲線形成步驟，用于根據數據組繪制步驟中繪制出的繪制點來擬合出溫度系數曲線。
3.根據權利要求1或2所述的半導體器件溫度系數建模方法，其特征在于，所述半導體器件溫度系數建模方法用于對電容器的電容值的溫度系數進行建模。
4.根據權利要求1或2所述的半導體器件溫度系數建模方法，其特征在于，所述半導體器件溫度系數建模方法用于對PPS電容器的電容值的溫度系數進行建模。
5.根據權利要求1或2所述的半導體器件溫度系數建模方法，其特征在于，所述半導體器件溫度系數建模方法用于對電阻器的電阻值的溫度系數進行建模。
6.根據權利要求1或2所述的半導體器件溫度系數建模方法，其特征在于，在所述多電壓下溫度系數獲取步驟中至少形成3組數據組。
7.一種采用了根據權利要求1至6之一所述的半導體器件溫度系數建模方法的電路設計方法。
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