[發明專利]溝槽式MOS晶體管及其制造方法、集成電路在審
| 申請號： | 201210230396.X | 申請日： | 2012-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN102738219A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發明（設計）人： | 劉憲周 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 mos 晶體管 及其 制造 方法 集成電路 | ||
1.一種溝槽式MOS晶體管，其特征在于包括：依次形成在襯底正面的外延層、溝道區以及源端，并且，所述溝槽式MOS晶體管還包括多晶硅柵，所述多晶硅柵位于溝道區及外延層的溝槽中，在所述多晶硅柵的側面及底面包圍有柵氧化層；并且所述溝槽式MOS晶體管還包括形成在所述襯底背面的漏端；
其中，在所述襯底的背面形成了襯底凹槽結構，并且所述漏端填充了所述襯底凹槽結構。
2.根據權利要求1所述的溝槽式MOS晶體管，其特征在于，所述襯底包括層疊的襯底正面部分以及襯底背面部分。
3.根據權利要求2所述的溝槽式MOS晶體管，其特征在于，所述襯底正面部分的摻雜濃度小于所述襯底背面部分的摻雜濃度。
4.根據權利要求2所述的溝槽式MOS晶體管，其特征在于，所述襯底凹槽結構僅僅形成在所述襯底背面部分中。
5.根據權利要求1至4之一所述的溝槽式MOS晶體管，其特征在于，所述溝槽式MOS晶體管是N型溝槽式MOS晶體管，并且所述外延層是N型摻雜的外延層。
6.根據權利要求1至4之一所述的溝槽式MOS晶體管，其特征在于，所述柵氧化層用于隔離多晶硅柵。
7.一種溝槽式MOS晶體管制造方法，其特征在于包括：
提供襯底；
在所述襯底正面依次形成外延層、溝道區以及源端，其中溝道區及外延層的溝槽中形成了多晶硅柵，在所述多晶硅柵的側面及底面包圍有柵氧化層；
對所述襯底的背面進行刻蝕以形成襯底凹槽結構的圖案；以及
利用導電材料填充襯底凹槽結構并在襯底的背面形成漏端。
8.根據權利要求7所述的溝槽式MOS晶體管制造方法，其特征在于，提供襯底的步驟包括形成層疊的襯底正面部分以及襯底背面部分。
9.根據權利要求7所述的溝槽式MOS晶體管制造方法，其特征在于，所述襯底正面部分的摻雜濃度小于所述襯底背面部分的摻雜濃度。
10.一種采用了根據權利要求1至6之一所述的溝槽式MOS晶體管的集成電路。
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