[發明專利]核殼式納米線陣列拉曼散射增強基底制備方法

無效

• 申請號: 201210230240.1
• 申請日: 2012-07-05
• 公開（公告）號: CN102774807A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發明（設計）人: 陳娜;陳振宜;李聯鑫;劉書朋;王廷云
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種核殼式納米線陣列拉曼增強基底的制備方法：將清洗后的鋁片進行兩次陽極氧化得到多孔陽極氧化鋁（AAO）模板，再以該模板為陰極，在金屬鹽溶液中進行交流電沉積，沉積結束后，取沉積后模板，用去離子水清洗干凈，然后再使用堿溶液去除AAO模板，制備出具有厚厚基底的納米線陣列，之后在上述獲得的陣列納米線表面光化學沉積另外一種金屬溶液，通過控制該金屬溶液的濃度從而得到不同厚度的核殼式納米線陣列，用該法制得的核殼式納米線陣列的特點是納米線陣列中的納米線表面上制備有納米顆粒，能夠作為基底增強激光拉曼散射,構成核殼式納米陣列拉曼散射增強基底。

2.根據權利要求1所述的核殼式納米線陣列拉曼增強基底的制備方法，其特征在于所述金屬鹽溶液是指要制備的核殼式納米線的核物質的金屬溶液。

3.根據權利要求1所述的核殼式納米線陣列拉曼增強基底的制備方法，其特征在于所述交流電沉積的條件是：多孔氧化鋁為陰極，碳棒為陽極，16g/L?H₂SO_4?/?3g/L?AgNO₃混合溶液為電解液，交流電壓12V????????????????????????????????????????????????1V，室溫下電沉積29min2min，且沉積過程中用磁子對溶液不停地進行攪拌。

4.根據權利要求1所述的核殼式納米線陣列拉曼增強基底的制備方法，其特征在于所述核殼式納米線，是元素周期表中的金、銀或銅相互之間的核殼式納米線，為金殼銀核納米線或銀殼金核納米線或銅殼金核納米線或銅殼銀核納米線或銀殼銅核納米線或金殼銅核納米線。

5.根據權利要求1所述的核殼式納米線陣列拉曼增強基底的制備方法，其特征在于所述陣列，為納米線有序的排列是豎直平行，或傾斜平行的。

6.根據權利要求1所述的核殼式納米線陣列拉曼增強基底的制備方法，其特征在于所述基底增強激光拉曼散射，是指可以增強的細胞或血液生物樣品，或者是化學或材料物質的拉曼散射。