[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201210230158.9
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102841512B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 山谷秀一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,董典紅

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)在襯底的主表面上涂覆抗蝕劑；

(b)通過經由投影光學系統和浸漬水向所述抗蝕劑上輻射曝光光，向所述抗蝕劑上轉移掩模的圖案圖像；以及

(c)在上述(b)步驟之后，在所述抗蝕劑上執行顯影工藝以在所述襯底的所述主表面之上形成抗蝕劑圖案，

其中所述(b)步驟包括以下步驟：

(b-1)當向所述抗蝕劑上輻射曝光光時，在用于支撐所述襯底的第一臺位于所述投影光學系統和用于供應和恢復所述浸漬水的管嘴部分之下的狀態中，在所述抗蝕劑與所述投影光學系統的光學元件的下表面和所述管嘴部分的下表面中的每個下表面之間的第一浸漬區域中保持所述浸漬水；以及

(b-2)當未向所述抗蝕劑上輻射曝光光時，在與所述第一臺不同的第二臺位于所述投影光學系統和所述管嘴部分之下的狀態中，在所述投影光學系統的光學元件的下表面和所述管嘴部分的下表面中的每個下表面與所述第二臺的上表面之間的第二浸漬區域中保持所述浸漬水，并且

其中通過使用液體供應單元控制所述浸漬水的供應量或者通過使用壓強調節單元控制所述浸漬水的供應壓強，來使在所述(b-1)步驟中保持于所述第一浸漬區域中的所述浸漬水的橫向擴展小于在所述(b-2)步驟中保持于所述第二浸漬區域中的所述浸漬水的橫向擴展。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中在所述光學元件周圍提供所述管嘴部分，并且在所述管嘴部分的下表面中提供用于供應所述浸漬水的液體供應端口和用于恢復所述浸漬水的液體恢復端口。

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中通過控制所述浸漬水的恢復量或者所述供應量和恢復量二者，使保持于所述第一浸漬區域中的所述浸漬水的量小于保持于所述第二浸漬水中的所述浸漬水的量。

4.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中所述第二臺的液體接觸表面的拒水性低于所述抗蝕劑的表面的拒水性。

5.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中所述第二臺的液體接觸表面的動態后退接觸角小于65°，并且所述抗蝕劑的表面的動態后退接觸角為65°或者更大并且84°或者更小。

6.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，

其中在所述第二臺之上的所述第二浸漬區域周圍提供拒水板，并且所述拒水板的拒水性高于所述第二臺的液體接觸表面的拒水性。

7.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)在襯底的主表面上涂覆抗蝕劑；

(b)通過經由投影光學系統和浸漬水向所述抗蝕劑上輻射曝光光，向所述抗蝕劑上轉移掩模的圖案圖像；以及

(c)在上述(b)步驟之后，對所述抗蝕劑執行顯影工藝以在所述襯底的所述主表面之上形成抗蝕劑圖案，

其中所述(b)步驟包括以下步驟：

(b-1)當向所述抗蝕劑上輻射曝光光時，在用于支撐所述襯底的第一臺位于所述投影光學系統和用于供應和恢復所述浸漬水的管嘴部分之下的狀態中，在所述抗蝕劑與所述投影光學系統的光學元件的下表面和所述管嘴部分的下表面中的每個下表面之間的第一浸漬區域中保持所述浸漬水；以及

(b-2)當未向所述抗蝕劑上輻射曝光光時，在與所述第一臺不同的第二臺位于所述投影光學系統和所述管嘴部分之下的狀態中，在所述投影光學系統的所述光學元件的下表面和所述管嘴部分的下表面中的每個下表面與所述第二臺的上表面之間的第二浸漬區域中保持所述浸漬水，并且

其中通過使用液體供應單元控制所述浸漬水的供應量、通過控制所述浸漬水的恢復量或者所述供應量和恢復量二者、或者通過使用壓強調節單元控制所述浸漬水的供應壓強，來使在所述(b-1)步驟中保持于所述第一浸漬區域中的所述浸漬水的量小于在所述(b-2)步驟中保持于所述第二浸漬區域中的所述浸漬水的量。

8.根據權利要求7所述的制造半導體器件的方法，

其中在所述光學元件周圍提供所述管嘴部分，并且在所述管嘴部分的所述下表面中提供用于供應所述浸漬水的液體供應端口和用于恢復所述浸漬水的液體恢復端口。

9.根據權利要求7所述的制造半導體器件的方法，

其中所述浸漬水的所述供應量或者所述恢復量由所述浸漬水的流速控制。