[發(fā)明專利]磁性隧道結(jié)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210229507.5 | 申請日： | 2012-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN103531707A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳昊;張佳;余天;張曉光;韓秀峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院物理研究所 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 磁性 隧道 | ||
1.一種磁性隧道結(jié)，包括具有勢壘層的核心多層膜結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述勢壘層由具有尖晶石結(jié)構(gòu)的以化學(xué)式AB2O4所表示的材料組成，厚度為0.5~5.0nm，其中A、B為金屬元素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述AB2O4為MgAl2O4、ZnAl2O4、SiMg2O4、SiZn2O4、MgGa2O4、MgIn2O4、ZnGa2O4、ZnIn2O4、CdAl2O4、CdGa2O4、CdIn2O4、SiCd2O4、GeMg2O4、GeZn2O4、GeCd2O4、SnMg2O4、SnZn2O4或SnCd2O4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述AB2O4為MgAl2O4、ZnAl2O4、SiMg2O4或SiZn2O4。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述磁性隧道結(jié)具有單勢壘或雙勢壘結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，單勢壘的磁性隧道結(jié)多層膜的結(jié)構(gòu)由下至上依次包括：
襯底；
緩沖層；
第一磁性層；
勢壘層；
第二磁性層；
覆蓋層；
其中第一磁性層和第二磁性層的矯頑力不同，調(diào)節(jié)矯頑力大小可以采用交換相互作用、形狀各向異性、埋入永磁的方法。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述第一磁性層和第二磁性層由鐵磁性材料、半金屬磁性材料或稀磁半導(dǎo)體材料制成，或由這些磁性材料與反鐵磁材料、非磁性金屬組成的復(fù)合層制成，第一磁性層和第二磁性層的厚度為1~50nm，該第一磁性層和第二磁性層的材料和厚度相同或者不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，雙勢壘的磁性隧?道結(jié)多層膜的結(jié)構(gòu)由下至上依次包括：
襯底；
緩沖層；
第一磁性層；
第一勢壘層；
第二磁性層；
第二勢壘層；
第三磁性層；
覆蓋層；
其中第二磁性層比第一磁性層、第三磁性層的矯頑力要小，第一磁性層和第三磁性層的矯頑力可以相同也可以不同，調(diào)節(jié)矯頑力大小可以采用交換相互作用、形狀各向異性、埋入永磁的方法。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁性隧道結(jié)，其特征在于，所述的第一、第二和第三磁性層由鐵磁性材料、半金屬磁性材料或稀磁半導(dǎo)體材料制成，或由這些磁性材料與反鐵磁材料、非磁性金屬組成的復(fù)合層制成，所述的第一磁性層和第三磁性層厚度為1~50nm，第二磁性層厚度為0.5~25nm，其中，三個磁性層的材料和厚度相同或不同，第一和第二勢壘層的材料和厚度相同或不同。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院物理研究所，未經(jīng)中國科學(xué)院物理研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210229507.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
