[發明專利]光調制裝置有效
| 申請號: | 201210229391.5 | 申請日: | 2012-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN102866512A | 公開(公告)日: | 2013-01-09 |
| 發明(設計)人: | 平山雅裕;阿部務 | 申請(專利權)人: | 住友電工光電子器件創新株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/01 | 分類號: | G02F1/01 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 陳源;張天舒 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 調制 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及光調制裝置,具體地,涉及具有匹配電路的光調制裝置。
背景技術
將對傳輸的光進行調制的光調制器用于光模塊等以便進行高速光通信。光調制器根據輸入電信號來調制光信號的強度。例如,日本專利申請公開第2005-252251號公開了具有EA(電吸收)光調制器的光模塊。
發明內容
本發明的一個目的是提供獲得穩定特性的光調制裝置。
根據本發明的一方面,提供了一種光調制裝置,包括:光調制器;絕緣層;RC電路,其包括串聯連接的電阻器和電容器;接合線,其連接在所述光調制器和所述RC電路之間;第一金屬層,提供在所述絕緣層上;以及第二金屬層,其具有比所述第一金屬層的寬度更大的寬度并且提供在所述絕緣層上,所述第二金屬層與地電位連接,并且經由所述第一金屬層連接到所述RC電路。
附圖說明
圖1A示出了光調制裝置的俯視圖。
圖1B示出了沿著圖1A的線A-A截取的示意性截面視圖。
圖2示出了根據比較示例的光調制裝置的電路示圖。
圖3A示出了根據第一實施例的光調制裝置的俯視圖。
圖3B示出了沿著圖3A的線A-A截取的示意性截面視圖。
圖4示出了根據第一實施例的光調制裝置的電路示圖。
圖5A示出了根據第二實施例的光調制裝置的俯視圖。
圖5B示出了沿著圖5A的線A-A截取的示意性截面視圖。
圖6示出了根據第二實施例的光調制裝置的電路示圖。
圖7A示出了根據第三實施例的光調制裝置的俯視圖。
圖7B示出了沿著圖7A的線A-A截取的示意性截面視圖。
圖8A示出了根據第四實施例的電介質襯底的俯視圖。
圖8B示出了根據第四實施例的光調制裝置的俯視圖。
圖9示出了根據第四實施例的變型實施例的光調制裝置的俯視圖。
圖10A示出了根據第五實施例的光模塊在卸下蓋時的俯視圖。
圖10B示出了沿著圖10A的線A-A截取的截面視圖。
具體實施方式
信號輸入到的光調制器的電極利用匹配電路以預定的阻抗終接。匹配電路包括接合線。阻抗匹配條件根據接合線的長度而波動。因此,當在光調制裝置的制造過程期間各接合線之間存在長度差異時,阻抗發生波動。因此,沒有獲得期望的光調制裝置的特性。
首先,給出根據比較示例的光調制裝置101的描述。圖1A示出了光調制裝置101的俯視圖。圖1B示出了沿著圖1A的線A-A截取的示意性截面視圖。如圖1A和圖1B所示,光調制裝置101具有這樣的結構:其中,在由氧化鋁、陶瓷等構成的電介質襯底50的上表面上提供由金、銅等構成的金屬層58。金屬層58包括金屬層52和金屬層54。金屬層52和金屬層54電絕緣。金屬層52與諸如地電位之類的恒定電位相連。在金屬層52上提供電介質襯底41和光調制器10。電介質襯底41由氧化鋁、陶瓷等構成。電介質襯底41的下表面接觸到金屬層52。在電介質襯底41的上表面上提供由諸如金或銅之類的金屬層構成的布線圖42。布線圖42和金屬層52形成作為分布式線路(distributed?line)40(傳輸線路)的微帶線。
分布式線路40將輸入信號傳輸到光調制器10。光調制器10在其上表面上具有電極11,輸入信號被輸入到電極11。電極11具有條形電極11a和耦接到條形電極11a的貼片電極(padel?ectrode)11b。接合線32的第一端接合到貼片電極11b。接合線32的第二端接合到分布式線路40的邊緣。因而,分布式線路40的邊緣電耦接到電極11。光調制器10是例如EA調制器,并且根據輸入信號來調制輸出信號。
在金屬層54上提供片狀電容器20。在片狀電容器20的上表面上提供電極22,并且在片狀電容器20的下表面上提供電極24。片狀電容器20的下表面上的電極24被提供在金屬層54上以便電耦接到金屬層54。接合線30的第一端接合到貼片電極11b。接合線30的第二端接合到在片狀電容器20的上表面上的電極22。因而,電極11電耦接到片狀電容器20的電極22。電阻器元件14的第一端電耦接到金屬層54。電阻器元件14的第二端電耦接到金屬層52。接合線30和接合線32由諸如金之類的金屬構成。
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