[發明專利]金屬互連結構的制作方法

無效

• 申請號: 201210228990.5
• 申請日: 2012-07-03
• 公開（公告）號: CN102751237A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 梁學文;陳玉文;胡友存;姬峰;李磊
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種金屬互連結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有第一介質層；

在所述第一介質層內形成第一金屬結構；

在所述第一金屬結構之間形成一條或多條間隙；

在所述第一介質層上形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述間隙，形成空氣間隔；

在所述刻蝕阻擋層上形成第二介質層；

在所述第二介質層內形成第二金屬結構，所述第二金屬結構與所述第一金屬結構電連接。

2.如權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，還包括：在相鄰的第二金屬結構之間形成一條或多條空氣間隔。

3.如權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材質為低K材質。

4.如權利要求3所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的材質為NDC、SiOCH中的一種或兩者的組合。

5.如權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述第一介質層和第二介質層的材質為低K材質。

6.如權利要求5所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述低K材質為NDC、SiOCH中的一種或兩者的組合。

7.如權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述第一金屬結構的制作方法包括：

利用刻蝕工藝，在所述第一介質層內形成溝槽；

在所述溝槽的側壁和底部形成金屬阻擋層；

在所述溝槽內第一金屬互連線，所述第一金屬互連線與所述阻擋金屬層構成所述第一金屬結構。

8.如權利要求7所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述第一金屬互連線采用電鍍方法制作，其材質為銅。

9.如權利要求8所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述金屬阻擋層利用物理氣相沉積或化學氣相沉積工藝制作，其材質為TiN,Ti,TaN,Ta,WN,W中的一種或多種。

10.如權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述第二金屬結構的制作方法包括：

采用雙大馬士革刻蝕工藝，在所述第二介質層內形成溝槽和與該溝槽對應的通孔；

在所述溝槽和通孔內依次形成阻擋金屬層和第二金屬互連線，所述第二金屬互連線與阻擋金屬層構成所述第二金屬結構。

11.如權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述間隙的深寬比范圍為20/1~2/1。

12.如權利要求1所述的金屬互連結構的制作方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的厚度范圍為300~10000埃。