[發(fā)明專利]氧化硅及氮化硅雙層復(fù)合側(cè)墻的刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210228815.6
• 申請(qǐng)日: 2012-07-02
• 公開（公告）號(hào): CN103531473A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孟令款
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/311
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種氧化硅及氮化硅雙層復(fù)合側(cè)墻的刻蝕方法，首先在形成偏移隔離側(cè)墻的半導(dǎo)體晶片上，在輕摻雜漏注入及Halo工藝之后，先后沉積上氧化硅、氮化硅薄膜；其特征在于，該方法還包括如下步驟：

主刻蝕步驟：將所述氮化硅薄膜刻蝕到一個(gè)特定厚度；

過(guò)刻蝕步驟，再刻蝕余下的氮化硅薄膜并停止在下面的氧化硅薄膜上，同時(shí)將整個(gè)晶片表面余下的氮化硅刻蝕干凈，從而形成氧化硅、氮化硅復(fù)合雙層側(cè)墻；

其中所述主刻蝕步驟完成后直接轉(zhuǎn)換到所述過(guò)刻蝕步驟。

2.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕步驟采用等離子體干法工藝刻蝕掉所述氮化硅薄膜厚度的2/3～4/5。

3.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述過(guò)刻蝕步驟采用高選擇比菜單，刻蝕余下的氮化硅薄膜。

4.如權(quán)利要求3所述的刻蝕方法，其特征在于，其中所述氮化硅對(duì)氧化硅的高選擇比大于或等于10∶1。

5.如權(quán)利要求1或4所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟對(duì)氮化硅的刻蝕分別采用碳氟基氣體、以及氧氣。

6.如權(quán)利要求5所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕步驟的碳氟基氣體為單獨(dú)采用CF₄、或單獨(dú)采用CHF₃、或者CF₄與CHF₃的組合；所述過(guò)刻蝕步驟的碳氟基氣體為CF₄與CH₂F₂的組合、或CF₄與CH₃F的組合、或者單獨(dú)采用CH₃F。

7.如權(quán)利要求5所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟對(duì)氮化硅的刻蝕在通入碳氟基氣體、以及氧氣的同時(shí)還分別通入可形成穩(wěn)定等離子體的稀釋性氣體氬氣。

8.如權(quán)利要求6所述的刻蝕方法，其特征在于，所述主刻蝕步驟和過(guò)刻蝕步驟采用LAM?Exelan?Hpt機(jī)臺(tái)，參數(shù)包括壓力、高頻、低頻、以及CF₄、CHF₃、CH₃F、O₂、和Ar的流量，分別是：?

9.如權(quán)利要求1所述的刻蝕方法，其特征在于，所述的氧化硅、氮化硅薄膜采用PECVD、或LPCVD方式制備。?