[發明專利]一種量化測量CDSEM像散情況的方法有效
| 申請號： | 201210228274.7 | 申請日： | 2012-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN102768362A | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發明（設計）人： | 夏婷婷;金穎;朱駿;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/29 | 分類號： | G01T1/29 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 量化 測量 cdsem 情況 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種量化測量CDSEM像散情況的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，選擇樣本控片；
步驟2，利用CDSEM測量樣本控片在不同像散情況下的頂部線寬與底部線寬的差值；
步驟3，建立頂部線寬與底部線寬的差值與不同像散情況的關系曲線；
步驟4，根據關系曲線確定警報點。
2.如權利要求1所述的量化測量CDSEM像散情況的方法，其特征在于，所述警報點為符合標準的像散情況下的頂部線寬與底部線寬的差值。
3.如權利要求1所述的量化測量CDSEM像散情況的方法，其特征在于，所述步驟2包括：
步驟2.1，建立測量樣本控片的量測程式，所述量測程式能夠測量所述控片所測線性圖形的頂部線寬與底部線寬的差值；
步驟2.2，依據所述量測程式，利用CDSEM測量所述控片在不同像散情況下頂部線寬與底部線寬的差值。
4.如權利要求3所述的量化測量CDSEM像散情況的方法，其特征在于，所述步驟2.1中的所測線性圖形的長度大于200nm。
5.如權利要求1所述的量化測量CDSEM像散情況的方法，其特征在于，所述樣本控片為符合所述CDSEM的最小測量線寬的刻蝕后的晶圓。
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