[發(fā)明專利]一種高密度ITO蒸鍍靶材的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210228240.8
• 申請(qǐng)日: 2012-07-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102731067A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周賢界;鄭子濤;許積文;陳常青
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韶關(guān)西格瑪技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/01
• 分類號(hào): C04B35/01;C04B35/622
• 代理公司: 韶關(guān)市雷門(mén)專利事務(wù)所 44226
• 代理人: 周勝明

1.一種高密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征在于工藝步驟是：

步驟一：根據(jù)成分配比要求，按照重量百分比為In₂O₃：90%～98%、SnO₂：2%～10%制備不同平均粒徑的氧化銦錫粉體，粉體的平均粒徑D50為30～130nm，比表面積為3～20m²/g；

步驟二：將步驟一獲得的兩種不同粒度分布的粉體進(jìn)行濕式混合，混合12～30小時(shí)，再摻入添加劑，添加劑包括粘接劑、潤(rùn)滑劑、表面活性劑和分散劑，繼續(xù)混合4～24小時(shí)，使有機(jī)物均勻包覆粉體；

步驟三：將經(jīng)步驟二處理的摻脂ITO粉，在80～120℃進(jìn)行干燥、造粒處理；

步驟四：將經(jīng)步驟三處理的造粒ITO粉放入金屬模具中預(yù)壓成型，壓力為60～140Mpa；

步驟五：將經(jīng)步驟四預(yù)壓成型的素坯靶材進(jìn)行冷等靜壓壓制，壓力為200～350Mpa；

步驟六：將經(jīng)步驟五成型的ITO素坯放入脫脂爐，在500～800℃下脫水排脂，保溫4～48小時(shí)；

步驟七：將經(jīng)步驟六處理的脫脂ITO素坯放入燒結(jié)爐，在常壓或無(wú)壓氧氣氛下進(jìn)行燒結(jié)，溫度為1400～1700℃，時(shí)間為10～72小時(shí)；通過(guò)上述步驟，制備出高密度的ITO蒸鍍靶材。

2.如權(quán)利要求1所述高密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征是：所使用的原料為錫摻雜的氧化銦納米粉體，其相成分為In₂O₃單相結(jié)構(gòu)，錫均勻摻雜于氧化銦中；ITO材料的純度在99.99%或以上，相對(duì)密度大于99.3%。

3.如權(quán)利要求1所述高密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征是：對(duì)ITO納米粉體原料進(jìn)行分級(jí)，根據(jù)中心粒度尺寸將粉體分成3～6個(gè)等級(jí)的納米粉體。

4.如權(quán)利要求1所述高密度ITO蒸鍍靶材的制備方法，其特征是：在步驟七中升溫速率為每分鐘5～12℃；燒結(jié)的氣體為氧氣，氧氣壓力為常壓或無(wú)壓。

5.使用如權(quán)利要求1所制備的高密度ITO蒸鍍靶材，其特征是：用高密度ITO靶材進(jìn)行電子束蒸發(fā)鍍膜，當(dāng)ITO薄膜厚度約250nm時(shí)，455nm處的透光率大于97%，方塊電阻小于10Ω/sq，能夠滿足GaN基短波長(zhǎng)LED透明電極的要求。