[發明專利]低噪聲CMOS集成參考電壓產生電路

有效

• 申請號: 201210228115.7
• 申請日: 2012-07-02
• 公開（公告）號: CN103529889A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 孫泉;喬東海;齊敏;湯亮
• 申請（專利權）人: 中國科學院聲學研究所
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種低噪聲CMOS集成參考電壓產生電路，其特征在于，包括：

低噪聲帶隙基準源產生電路，包括一個斬波放大器，所述低噪聲帶隙基準源產生電路用于產生低噪聲帶隙基準源；

正參考電壓產生電路，包括一個由斬波放大器，MOS管及電阻構成的負反饋電路，所述正參考電壓產生電路用于從所述帶低噪聲隙基準源產生正參考電壓；

負參考電壓產生電路，包括一個由斬波放大器，MOS管，電流源及電阻構成的負反饋電路，所述負參考電壓產生電路用于從所述正參考電壓產生與所述正參考電壓對稱的負參考電壓。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，在所述低噪聲帶隙基準源產生電路之后，正參考電壓產生電路之前，還包括：

啟動電路，用于使所述低噪聲帶隙基準源產生電路產生的帶隙基準源工作在正常工作點。

3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述低噪聲帶隙基準電源產生電路包括：一個由斬波放大器，MOS管，電阻及BJT管形成的負反饋電路。

4.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述正參考電壓產生電路，具體為：

斬波放大器的同相輸入端連接到所述帶隙基準源產生電路的經過濾波后的輸出，斬波放大器的反相輸入端連接第一電阻和第二電阻之間的端點，第一電阻的另一端接地，第二電阻的另一端連接MOS管的漏極，MOS管的柵極連接斬波放大器的輸出端MOS管的源級接電源；其中，MOS管漏極與第二電阻的連接點為所述正參考電壓產生電路的輸出。

5.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述負參考電壓產生電路，具體為：

第三電阻的一端連接到所述正參考電壓產生電路的經過濾波后的輸出，第三電阻的另一端連接到斬波放大器的反相輸入端和第四電阻的一端，第四電阻的另一端連接到電流源的一端和MOS管的漏極，電流源的另一端連電源，MOS管的柵極連接到斬波放大器的輸出，MOS管的源級接地，斬波放大器的同相輸入端也接地；其中，電流源與第四電阻的連接點為所述正參考電壓產生電路的輸出。