[發明專利]一種最大電壓選擇電路、方法及子選擇電路

有效

• 申請號: 201210227979.7
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103516340B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 黃雷
• 申請（專利權）人: 快捷半導體(蘇州)有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K17/693
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司11270
• 代理人: 武晨燕,程立民

1.一種子選擇電路，其特征在于，該子選擇電路包括：使能模式電路和去使能模式電路；其中，

使能模式電路，配置為在工作模式信號為使能信號時工作，采用比較器結構，當自身輸入電壓大于參考電壓時，設置自身的狀態為輸出使能狀態，設置除自身外的子選擇電路的狀態為輸出停止狀態，并通過P型金屬氧化物半導體場效應晶體管(PMOS)將自身的輸入電壓作為最大電壓輸出；

去使能模式電路，配置為在工作模式信號為去使能信號時工作，采用電力閂鎖結構，當自身輸入電壓大于參考電壓時，設置自身的狀態為輸出使能狀態，設置除自身外的子選擇電路的狀態為輸出停止狀態，并通過PMOS將自身的輸入電壓作為最大電壓輸出。

2.根據權利要求1所述的子選擇電路，其特征在于，所述工作模式信號為：在電路中有偏置電流時，以高電平為使能信號；在電路中沒有偏置電流時，以低電平為去使能信號。

3.根據權利要求2所述的子選擇電路，其特征在于，該子選擇電路為第一子選擇電路時，包括：第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS、第七PMOS、第一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管(NMOS)、第二NMOS、第三NMOS、第四NMOS、第五NMOS、第六NMOS、反相器；其中，并聯的第一電阻和第二電阻的一端連接第一輸入電壓，另一端連接第一PMOS的源極，第一PMOS的柵極連接反饋電壓，第一PMOS的漏極為自身狀態節點VO1，連接第三PMOS的漏極、第六PMOS的漏極、反相器的輸入端、第一NMOS的漏極、第三NMOS的漏極、第五NMOS的漏極；第一NMOS的柵極連接與工作模式信號對應的控制信號和第四NMOS的柵極，第一NMOS的源極連接第二NMOS的漏極和第四NMOS的源極；第二NMOS的柵極連接工作模式信號，源極連接接地電壓；第三NMOS的柵極為接收第二子選擇電路的狀態的節點VO2，第三NMOS的源極連接第四NMOS的漏極、第五NMOS的源極和第六NMOS的漏極；第五NMOS的柵極為接收第三子選擇電路的狀態的節點VO3；第六NMOS的源極通過第三電阻連接接地電壓，第六NMOS的柵極連接工作模式信號的反信號；第二PMOS的源極連接第一輸入電壓，第二PMOS的柵極連接工作模式信號和第四PMOS的柵極，第二PMOS的漏極連接第三PMOS的源極；第三PMOS的柵極連接反饋電壓；第四PMOS的源極連接第一輸入電壓，第四PMOS的漏極連接第五PMOS的源極；第五PMOS的柵極為接收第三子選擇電路的狀態的節點VO3，第五PMOS的漏極連接第六PMOS的源極；第六PMOS的柵極為接收第二子選擇電路的狀態的節點VO2；第七PMOS的源極連接第一輸入電壓，第七PMOS的柵極連接反相器的輸出端，第七PMOS的漏極連接輸出電壓。

4.根據權利要求3所述的子選擇電路，其特征在于，所述第一子選擇電路的工作模式信號為高電平時，由第一電阻、第二電阻、第一PMOS、第七PMOS、第一NMOS、第二NMOS、第三NMOS、第四NMOS、第五NMOS、反相器構成使能模式電路。

5.根據權利要求4所述的子選擇電路，其特征在于，所述第一電阻、第二電阻、第一PMOS、第一NMOS、第二NMOS、第三NMOS、第四NMOS構成比較器結構，當第一輸入電壓大于參考電壓時，第一PMOS的漏極電流大于第一NMOS和第四NMOS的漏極電流的和，所述第一子選擇電路的使能模式電路設置自身狀態節點VO1為輸出使能狀態，并通過狀態節點VO1使第二子選擇電路的狀態和第三子選擇電路的狀態為輸出停止狀態，所述第七PMOS導通，第七PMOS的漏極的輸出電壓為第一輸入電壓；

所述參考電壓為反饋電壓、第一PMOS的柵極-源極電壓、第一電阻上的電壓之和。

6.根據權利要求3所述的子選擇電路，其特征在于，在工作模式信號為低電平時，由第三電阻、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS、第七PMOS、第三NMOS、第五NMOS、第六NMOS、反相器構成去使能模式電路。