[發(fā)明專利]一種銅銦硒基薄膜太陽能電池鉬電極的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210226903.2
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102751381A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 屈飛;古宏偉;丁發(fā)柱;張騰;邱清泉;戴少濤
• 申請（專利權）人: 中國科學院電工研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224;C23C14/18;C23C14/35
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 關玲

1.一種銅銦硒基薄膜太陽能電池鉬電極的制備方法，其特征在于，所述的制備方法首先采用離子束清洗玻璃片表面，隨后用直流磁控濺射工藝制備鉬Mo背電極，制備步驟如下；

1）將玻璃片用王水（V_HCl：V_HNO3=3：1）浸泡15分鐘，用去離子水沖洗干凈，再先后分別在丙酮和酒精中超聲波清洗5分鐘，隨后放入烘箱干燥后待用；

2）將經(jīng)步驟1）清洗后的玻璃片裝卡在直流磁控濺射設備的樣品臺上，裝好Mo靶材，先將Mo靶降到該設備的真空腔體底部，再根據(jù)所述的玻璃片的位置調整好清洗離子源的角度，關閉真空腔體，開始抽真空；

3）待真空腔體的真空度優(yōu)于8.5×10^-4Pa，打開Ar氣，并打開清洗離子源進氣閥，調節(jié)Ar氣流量至真空度2.0×10^-2~5.0×10^-2Pa；

4）打開清洗離子源，調節(jié)離子源加速電壓為250V～350V，調節(jié)離子束流為50mA~60mA，電子束流為離子束流的1.5倍；打開樣品臺擋板，清洗玻璃片10分鐘，清洗結束后關閉樣品臺擋板，在關閉離子源；

5）將Mo靶靶基距調至150mm，將Ar氣清洗進氣口轉換為濺射進氣口，調整直流磁控濺射設備的流量計至真空度0.1Pa～3Pa，濺射功率150w～400w；待輝光穩(wěn)定后，打開樣品臺擋板，沉積完成后關閉擋板，關閉濺射進氣口，關閉真空系統(tǒng)。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種銅銦硒基薄膜太陽能電池鉬電極的制備方法，其特征在于，所述的Mo靶的純度為99.99%，靶材尺寸為Ф75×5mm。