[發明專利]薄膜晶體管、陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201210226591.5
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102751200A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 梁逸南
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括步驟：

10、在基板上依次形成緩沖層和有源層，通過構圖工藝形成有源區；

30、依次形成柵絕緣層和柵極層，形成柵電極；

50、形成Ni沉積窗口；

70、形成介質層，形成與Ni沉積窗口一一對應的源漏接觸孔；

90、形成源漏金屬層，形成源漏電極，所述源漏電極通過源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區相連接。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述有源層和所述柵電極的材料分別為非晶硅薄膜，在步驟50和步驟70之間，進一步包括步驟：

60、利用金屬誘導側向結晶方法將所述有源層和所述柵電極的非晶硅薄膜材料再結晶為多晶硅薄膜材料。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步驟60具體包括：

在Ni沉積窗口中和柵電極上沉積Ni金屬，在Ni沉積窗口中注入源漏離子，形成源漏區域，再高溫退火。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述緩沖層和所述介質層的材料分別為SiO₂、SiN_x或二者的混合物；所述源漏金屬層的材料為Mo、導電金屬或導電合金。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的制造方法，其特征在于，所述Ni沉積窗口和所述源漏接觸孔分別為兩個。

6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括步驟：

S1、在基板上依次形成緩沖層和有源層，通過構圖工藝形成有源區；

S3、依次形成柵絕緣層和柵極層，形成柵電極；

S5、形成Ni沉積窗口；

S7、形成介質層，形成與Ni沉積窗口一一對應的源漏接觸孔；

S9、形成源漏金屬層，形成源漏電極，所述源漏電極通過源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區相連接。

S11、形成像素界定與絕緣層，形成像素陣列。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述有源層和所述柵電極的材料分別為非晶硅薄膜，在步驟S5和步驟S7之間，進一步包括步驟：

S6、利用金屬誘導側向結晶方法將所述有源層和所述柵電極的非晶硅薄膜材料再結晶為多晶硅薄膜材料。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S6具體包括：

在Ni沉積窗口中和柵電極上沉積Ni金屬，在Ni沉積窗口中注入源漏離子，形成源漏區域，再高溫退火。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

依次形成于基板上的緩沖層和有源區；

依次覆蓋在所述緩沖層和有源區上的具有Ni沉積窗口的柵絕緣層、柵電極和具有源漏接觸孔的介質層，所述源漏接觸孔與所述Ni沉積窗口一一對應；

通過源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區相連接的源漏電極。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板，

依次形成于所述基板上的緩沖層和有源區；

依次覆蓋在所述緩沖層和有源區上的具有Ni沉積窗口的柵絕緣層、柵電極和具有源漏接觸孔的介質層，所述源漏接觸孔與所述Ni沉積窗口一一對應；

通過源漏接觸孔和Ni沉積窗口與有源區相連接的源漏電極；

覆蓋在所述介質層和源漏電極上的像素界定與絕緣層。