[發(fā)明專利]光學(xué)組件及其制造方法、光伏器件

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210226532.8
• 申請(qǐng)日: 2012-06-29
• 公開（公告）號(hào): CN102842623A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 谷鋆鑫;王正佳;陳捷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 法國圣戈班玻璃公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 朱勝;李春暉

1.一種光學(xué)組件，其特征在于，包括：

基底；

抗反射膜，覆蓋于所述基底上，所述抗反射膜包括多個(gè)位于所述基底上的納米棒，所述納米棒與所述基底不相接觸的端面形成有臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述納米棒為氧化鋅納米棒、二氧化鈦納米棒或氧化銦錫納米棒。

3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述端面形成有凹陷，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)由所述凹陷形成。

4.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述納米棒為具有六角棱柱晶體結(jié)構(gòu)的氧化鋅納米棒，所述凹陷由(001)晶面刻蝕而成。

5.如權(quán)利要求3所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述凹陷的深度為形成所述凹陷的納米棒長度的0.1~0.9倍。

6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)組件，其特征在于，所述基底的材料為玻璃、金屬或塑料。

7.一種光伏器件，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1~6中任一權(quán)利要求所述的光學(xué)組件，所述光學(xué)組件中的基底為透明基底；

太陽能電池，位于所述透明基底未設(shè)置抗反射膜的一側(cè)。

8.如權(quán)利要求7所述的光伏器件，其特征在于，所述透明基底的材料為有機(jī)玻璃或塑料。

9.一種光學(xué)組件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多個(gè)納米棒；

在所述納米棒與所述基底不相接觸的端面形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，在提供基底之后，形成納米棒之前還包括清洗所述基底。

11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述基底為玻璃，所述清洗所述基底的步驟包括：

依次通過丙酮、異丙醇和去離子水對(duì)所述基底進(jìn)行超聲波震蕩清洗；

通過氫氟酸或硝酸溶液對(duì)所述基底進(jìn)行粗糙化處理。

12.如權(quán)利要求9、10或11所述的制造方法，其特征在于，所述納米棒為氧化鋅納米棒，形成納米棒的步驟包括：

將醋酸鋅和單乙醇胺溶解于乙醇，形成涂膜溶液；

將所述涂膜溶液通過旋涂的方式涂覆在基底上；

對(duì)所述基底進(jìn)行加熱，使所述涂膜溶液分解，在所述基底上形成氧化鋅晶種；

將六水合硝酸鋅和環(huán)六亞甲基四胺溶液混合，形成生長溶液；

將形成有氧化鋅晶種的基底放置于所述生長溶液中，以在所述晶種所在位置處生長氧化鋅納米棒。

13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成氧化鋅晶種的步驟包括：大氣壓下，對(duì)所述基底加熱至300~400℃，以所述溫度對(duì)基底加熱持續(xù)0.5~2小時(shí)，以使所述涂膜溶液分解。

14.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，生長氧化鋅納米棒的步驟包括：將形成有氧化鋅晶種的基底放置于溫度為80~95℃的所述生長溶液中，持續(xù)120~300分鐘，以形成氧化鋅納米棒。

15.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成納米棒之后，形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)之前，還包括：

通過去離子水清洗所述納米棒，以去除殘余溶液；

清洗之后，將形成有納米棒的基底晾干。

16.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，在納米棒與所述基底不相接觸的端面形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)的步驟包括：將形成有納米棒的基底放置在刻蝕溶液中，通過所述刻蝕溶液在所述納米棒與基底不相接觸的端面上刻蝕出臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

17.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述納米棒為氧化鋅納米棒；在納米棒與所述基底不相接觸的端面形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)的步驟包括：通過酸性或堿性溶液刻蝕氧化鋅納米棒的(001)晶面，在所述端面形成凹陷，以形成由所述凹陷形成的臺(tái)階結(jié)構(gòu)。

18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，通過酸性或堿性溶液刻蝕納米棒的(001)晶面的步驟包括：在溫度為20~85℃的條件下，將氧化鋅納米棒放置于鹽酸溶液中持續(xù)5~60分鐘，所述鹽酸的濃度位于0.001~0.1摩爾/升范圍內(nèi)。

19.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，通過酸性或堿性溶液刻蝕納米棒的(001)晶面的步驟包括：在溫度為20~85℃的條件下，將氧化鋅納米棒放置氫氧化鉀溶液中持續(xù)5~60分鐘，所述氫氧化鉀的濃度位于0.001~0.1摩爾/升范圍內(nèi)。