[發(fā)明專利]CMOS管的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210226457.5
• 申請日: 2012-07-02
• 公開（公告）號: CN103531452A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三重野文健
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/8238
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種CMOS管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括NMOS區(qū)域和與其相隔PMOS區(qū)域，其中，所述NMOS區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面形成有第一偽柵極結(jié)構(gòu)，位于所述第一偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有第一源/漏區(qū)，所述PMOS區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面形成有第二偽柵極結(jié)構(gòu)，位于所述第二偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成有第二源/漏區(qū)，且所述PMOS區(qū)域的半導(dǎo)體襯底、第二源/漏區(qū)和第二偽柵極結(jié)構(gòu)表面覆蓋有第一掩膜層；

以所述第一掩膜層為掩膜，形成覆蓋所述第一源/漏區(qū)表面的第一金屬硅化物層；

形成第一金屬硅化物層后，去除所述第一掩膜層；

形成位于所述半導(dǎo)體襯底表面的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層與所述第一偽柵極結(jié)構(gòu)和第二偽柵極結(jié)構(gòu)表面齊平；

刻蝕所述層間介質(zhì)層，形成暴露出部分所述第二源/漏區(qū)表面的開口；

通過所述開口在第二源/漏區(qū)表面形成第二金屬硅化物層。

2.如權(quán)利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一金屬硅化物層的材料為NiSi₂和NiSi中的一種或多種組合。

3.如權(quán)利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一金屬硅化物層中還摻雜有鉑原子。

4.如權(quán)利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一金屬硅化物層的厚度為15-50nm。

5.如權(quán)利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一金屬硅化物層的形成工藝為沉積工藝和退火工藝；或者為離子摻雜工藝。

6.如權(quán)利要求5所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝為濺射鍍膜工藝，所述濺射鍍膜工藝的參數(shù)范圍為：底部壓強(qiáng)為5E-7托~5E-9托，濺射氣壓為0.3-0.8帕，射頻功率為30瓦-80瓦，射頻頻率為10-15兆赫茲，直流偏置功率為3500瓦-4500瓦。

7.如權(quán)利要求5所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，當(dāng)采用沉積工藝形成第一金屬硅化物層時(shí)，其形成步驟包括：形成覆蓋所述第一源/漏區(qū)表面的第一金屬層；對所述第一源/漏區(qū)和第一金屬層進(jìn)行第一退火處理。

8.如權(quán)利要求7所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一退火工藝的工藝參數(shù)范圍為：退火溫度為300攝氏度-750攝氏度，退火時(shí)間為5分鐘-60分鐘。

9.如權(quán)利要求7所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一退火工藝為快速熱退火工藝，其工藝參數(shù)范圍為：退火溫度為700攝氏度-900攝氏度，退火時(shí)間為10秒-120秒。

10.如權(quán)利要求7所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第一金屬層的材料為Ni或NiPt。

11.如權(quán)利要求7所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，當(dāng)所述第一金屬層的材料為NiPt時(shí)，Pt在NiPt的原子百分比含量小于5%。

12.如權(quán)利要求7所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，還包括：待完成所述第一退火處理后，去除所述第一金屬層。

13.如權(quán)利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述開口暴露出的部分第二源/漏區(qū)表面占總的第二源/漏區(qū)表面的面積比為1:3~1:10。

14.如權(quán)利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第二金屬硅化物層的材料為NiSi₂和NiSi中的一種或多種組合。

15.如權(quán)利要求1所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述第二金屬硅化物層的形成工藝為沉積工藝和退火工藝；或者為離子摻雜工藝。

16.如權(quán)利要求15所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝為原子層沉積工藝，采用的反應(yīng)物為：雙（二甲氨基-2-甲基-2-丁氧基）鎳、氫氣和氨氣，沉積溫度為200攝氏度-400攝氏度。

17.如權(quán)利要求15所述的CMOS管的形成方法，其特征在于，當(dāng)采用沉積工藝形成所述第二金屬硅化物層時(shí)，其形成步驟包括：在所述開口內(nèi)的第二源/漏區(qū)表面形成第二金屬層；對所述第二源/漏區(qū)和第二金屬層進(jìn)行第二退火處理。