[發(fā)明專利]襯底支撐座及應(yīng)用所述襯底支撐座的半導(dǎo)體處理設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210226341.1 | 申請日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN103077917A | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁秉文 | 申請(專利權(quán))人: | 光達光電設(shè)備科技(嘉興)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
| 地址: | 314300 浙江省嘉興市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 支撐 應(yīng)用 半導(dǎo)體 處理 設(shè)備 | ||
1.一種襯底支撐座,其包括:支撐基座,用于支撐一個或多個襯底;加熱器,所述加熱器用于加熱所述支撐基座,其特征在:所述加熱器的至少一部分與所述支撐基座之間的距離可調(diào),以調(diào)節(jié)所述支撐基座的溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的襯底支撐座,其特征在于:所述加熱器包括至少第一加熱單元和設(shè)置在所述第一加熱單元周圍的第二加熱單元,所述第一加熱單元對應(yīng)所述支撐基座的中心區(qū)域,所述第二加熱單元對應(yīng)所述支撐基座的邊緣區(qū)域,所述第一加熱單元和所述第二加熱單元中至少一個與所述支撐基座之間的距離可調(diào)。
3.如權(quán)利要求2所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的距離可調(diào)。
4.如權(quán)利要求3所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離固定。
5.如權(quán)利要求4所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的距離小于或等于所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離。
6.如權(quán)利要求3所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第一加熱單元與所述支撐基座之間的距離可調(diào)。
7.如權(quán)利要求6所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第一加熱單元與所述支撐基座的距離大于或等于所述第二加熱單元與所述支撐基座之間的最大距離。
8.如權(quán)利要求3所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第二加熱單元通過平移的方式調(diào)節(jié)與所述支撐基座之間的距離。
9.如權(quán)利要求8所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第二加熱單元成環(huán)狀,并環(huán)繞所述第一加熱單元。
10.如權(quán)利要求3所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第二加熱單元包括設(shè)置在所述第一加熱單元周圍的多個加熱模塊,所述加熱模塊通過繞一轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動的方式調(diào)節(jié)所述加熱模塊與所述支撐基座之間的距離,使得,調(diào)節(jié)所述第二加熱單元靠近所述支撐基座時,所述加熱模塊遠離所述第一加熱單元的一側(cè)更靠近所述支撐基座。
11.如權(quán)利要求10所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第一加熱單元呈多邊形,所述多個加熱模塊呈條形,所述多個加熱模塊對應(yīng)臨近所述呈多邊形的第一加熱單元各個邊設(shè)置,并以對應(yīng)的邊作為轉(zhuǎn)軸。
12.如權(quán)利要求11所述的襯底支撐座,其特征在于:所述條形加熱模塊與所述第一加熱單元的邊緣鉸接。
13.如權(quán)利要求10所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第一加熱單元呈圓形,所述多個加熱模塊呈放射狀分布在所述第一加熱單元周圍。
14.如權(quán)利要求3所述的襯底支撐座,其特征在于:所述第一加熱單元包括主加熱模塊和中心加熱模塊,所述中心加熱模塊設(shè)置在由所述主加熱模塊圍繞的區(qū)域。
15.如權(quán)利要求14所述的襯底支撐座,其特征在于:所述主加熱模塊與所述支撐基座之間的距離固定。
16.如權(quán)利要求15所述的襯底支撐座,其特征在于:所述中心加熱模塊與所述支撐基座之間的距離固定,且所述距離大于所述主加熱模塊與所述支撐基座之間的距離。
17.如權(quán)利要求15所述的襯底支撐座,其特征在于:所述中心加熱模塊與所述支撐基座之間的距離可調(diào),且所述距離大于所述主加熱模塊與所述支撐基座之間的距離。
18.如權(quán)利要求14所述的襯底支撐座,其特征在于:所述中心加熱模塊和所述主加熱模塊相對所述支撐基座之間的距離均可調(diào)。
19.如權(quán)利要求18所述的襯底支撐座,其特征在于:中心加熱模塊和所述主加熱模塊聯(lián)動調(diào)節(jié)相對所述支撐基座之間的距離。
20.如權(quán)利要求19所述的襯底支撐座,其特征在于:所述聯(lián)動調(diào)節(jié)方式為:所述中心加熱模塊和所述主加熱模塊相對所述支撐基座之間的距離同時增大或同時減少;且所述中心加熱模塊與所述支撐基座之間距離的增加速度,大于所述主加熱模塊與所述支撐基座之間距離的增加速度。
21.如權(quán)利要求1所述的襯底支撐座,其特征在于:所述支撐基座包括一襯底支撐面和一與所述襯底支撐面相對的底面,所述襯底設(shè)置在所述襯底支撐面,所述加熱器設(shè)置在臨近所述支撐基座的底面一側(cè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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