[發明專利]半導體元件與制作方法

有效

• 申請號: 201210226319.7
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103515302B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 郭建利;林永昌
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體元件，包含：

基底；

層間介電層，設置于該基底上；

硅穿孔電極，貫穿該基底以及該層間介電層；

接觸環，設置于該層間介電層中并位于該硅穿孔電極周圍；

一金屬線路，設置于該層間介電層表面，且該硅穿孔電極接觸該金屬線路；以及

襯墊層，位于該硅穿孔電極內，且僅位于該基底中。

2.如權利要求1的半導體元件，其中該接觸環與該金屬線路等電位。

3.如權利要求1的半導體元件，另包含阻障層，位于該硅穿孔電極內，且該阻障層與該金屬線路實質上接觸。

4.如權利要求1的半導體元件，另包含柵極結構，設置于該基底上，該柵極結構包含金屬柵極、多晶硅柵極或是虛置柵極(dummy gate)。

5.一種制作半導體元件的方法，包含以下步驟：

提供一基底，其上有一正面與一背面；

形成一層間介電層于該基底的該正面上；

形成一金屬線路于該層間介電層表面；

在該基底的該背面上，形成一開口貫穿該基底并曝露該層間介電層；

形成一襯墊層于該開口內部；

經由該開口蝕刻該襯墊層以及該層間介電層，以形成一硅穿孔，并曝露該金屬線路；

形成一阻障層，覆蓋該硅穿孔內部；以及

形成一導電層于該阻障層上。

6.如權利要求5的半導體元件制作方法，還包含形成一接觸環，位于該硅穿孔周圍的該層間介電層中。

7.如權利要求6的半導體元件制作方法，還包含形成多個淺溝槽隔離位于該基底中，且該接觸環位于該淺溝槽隔離上。

8.如權利要求6的半導體元件制作方法，其中該接觸環與該金屬線路等電位。

9.如權利要求6的半導體元件制作方法，還包含形成多個接觸插塞于該層間介電層中，且該接觸環與各接觸插塞由同一步驟制作。

10.如權利要求6的半導體元件制作方法，還包含形成多個接觸插塞于該層間介電層，且該接觸環與該接觸插塞由不同步驟制作。

11.如權利要求5的半導體元件制作方法，還包含形成至少一柵極結構，且該柵極包括金屬柵極、多晶硅柵極或是虛置柵極(dummy gate)。