[發(fā)明專利]光學組件及其制造方法、光伏器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210226286.6 | 申請日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN102779900A | 公開(公告)日: | 2012-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王正佳;谷鋆鑫;陳捷;林衛(wèi)標 | 申請(專利權(quán))人: | 法國圣戈班玻璃公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216;G02B1/11 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱勝;陳煒 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學 組件 及其 制造 方法 器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學材料領(lǐng)域,尤其涉及一種光學組件及其制造方法、光伏器件。
背景技術(shù)
光在傳播時,在不同介質(zhì)的分界面上通常會有一部分改變傳播方向而返回原來介質(zhì)中。這被稱為光的反射。通常,不同介質(zhì)之間折射率的差異越大,光在該分界面處的反射將越強。
在光伏器件、顯示器等產(chǎn)品中,如何減小光的反射一直是研究的熱點。本領(lǐng)域技術(shù)人員研究發(fā)現(xiàn),對于光從空氣投射至基底的情形,可以在基底上形成一層抗反射膜,在所述抗反射膜的折射率為空氣折射率與基底折射率乘積的平方根時(即滿足折射率匹配的條件),所述抗反射膜的厚度為波長的四分之一時(即滿足厚度匹配的條件),所述抗反射膜能起到良好的減少反射作用。然而,由于抗反射膜為致密材料,其折射率較大,高于所需匹配值,因此,通常抗反射膜為多孔結(jié)構(gòu)。而抗反射膜的孔隙率(Porosity)、孔徑大小、孔徑分布以及抗反射膜的厚度對減反射性能至關(guān)重要。
在公告號CN100375908C的中國專利中公開了一種單層多孔膜結(jié)構(gòu)的抗反射膜,包含二氧化硅顆粒和至少一種粘合劑化合物的抗反射膜,所述抗反射膜具有30重量%或更高的二氧化硅顆粒含量,2納米或更小的算術(shù)平均表面粗糙度和10原子%或更高的表面硅原子含量。所述中國專利中二氧化硅顆粒、二氧化硅顆粒之間孔隙的等效折射率位于空氣與基底之間,可以起到減少反射的作用。此外,所述中國專利提供的抗反射膜具有一定的粗糙度,可提高抗反射膜的機械強度和抗磨性。
所述中國專利形成所述抗反射膜的方法為:在基底上涂覆含有二氧化硅顆粒的溶液和含有粘合劑化合物的溶液。
然而,所述中國專利中制造抗反射膜的方法很難保證抗反射膜具有均勻的孔隙分布,也很難精確控制抗反射膜的厚度等參數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提高抗反射光學組件結(jié)構(gòu)的可控性以及制造方法的工藝可控性。
為了解決上述問題,本發(fā)明提供一種光學組件的制造方法,包括:提供基底;在所述基底上形成至少一層抗反射層;其中,形成抗反射層的步驟包括:形成帶電層;在所述帶電層上分散排布與所述帶電層電性不同的透光材料顆粒。
可選地,所述基底的材料為玻璃或塑料。
可選地,所述帶電層由電解質(zhì)或帶電顆粒形成。
可選地,通過旋涂、噴涂、浸漬或提拉涂膜工藝形成所述帶電層或分散排布所述透光材料顆粒。
可選地,所述制造方法還包括:在基底上完成抗反射層的制作之后,對所述光學組件進行加熱處理。
可選地,所述加熱處理的步驟中加熱溫度位于300~500℃的范圍內(nèi),加熱持續(xù)的時間位于30~130分鐘的范圍內(nèi)。
可選地,形成帶電層的步驟之前,還包括:提供包含有帶電層材料的溶液;調(diào)節(jié)所述溶液的PH值,以增加帶電層的電量。
可選地,所述透光材料顆粒為二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁或氧化鋯顆粒。
可選地,在所述帶電層上分散排布與所述帶電層電性不同的透光材料顆粒的步驟之前,還包括:提供透光材料顆粒;調(diào)節(jié)所述透光材料顆粒的PH值,以增加所述透光材料顆粒的電量。
可選地,所述透光材料顆粒為帶有負電荷的二氧化硅顆粒。
可選地,在所述帶電層上分散排布與所述帶電層電性不同的透光材料顆粒的步驟之前,還包括:通過氫氧化鈉或氨水溶液調(diào)節(jié)所述二氧化硅顆粒的PH值,使二氧化硅顆粒的PH值位于8.5~9.5的范圍內(nèi)。
可選地,所述二氧化硅顆粒的粒徑位于5~10nm的范圍內(nèi)。
可選地,所述帶電層為帶正電荷的聚丙烯氯化銨。
可選地,形成帶電層的步驟之前,還包括:在聚丙烯氯化銨中加入鹽酸或氫氧化鈉,使所述聚丙烯氯化銨的PH值位于7~8的范圍內(nèi)。
可選地,所述形成帶電層的步驟包括:將基底浸入至帶正電荷的聚丙烯氯化銨溶液中持續(xù)10~20分鐘;之后,將涂覆有聚丙烯氯化銨的基底浸入至去離子水中,持續(xù)1~5分鐘;最后,所述在所述帶電層上分散排布與所述帶電層電性不同的透光材料顆粒的步驟包括:將涂覆有聚丙烯氯化銨的基底浸入至帶負電荷的二氧化硅顆粒溶液中持續(xù)10~20分鐘。
可選地,所述帶電層由帶正電荷的二氧化鈦顆粒形成。
相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種所述的任意一制造方法所形成的光學組件。
相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種光伏器件,用于將光能轉(zhuǎn)換為電能,包括:如權(quán)利要求17所述的光學組件,所述光學組件中的基底為透明基底;太陽能電池,位于所述透明基底遠離光的一側(cè)。
可選地,所述透明基底為有機玻璃或塑料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





