[發明專利]直貼膜有效
| 申請號： | 201210226006.1 | 申請日： | 2012-07-03 |
| 公開（公告）號： | CN102721991A | 公開（公告）日： | 2012-10-10 |
| 發明（設計）人： | 王雨田 | 申請（專利權）人： | 四川世創達電子科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/26 | 分類號： | G02B5/26;G02B1/10;G02B1/11;B32B15/01;B32B9/04 |
| 代理公司： | 成都蓉信三星專利事務所 51106 | 代理人： | 熊亮 |
| 地址： | 610000 *** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直貼膜 | ||
1.一種直貼膜，其特征在于：包括PET基材，PET基材上設有復合涂層，所述復合涂層為十三層復合結構，從內到外依次為第一抗反射層、過渡層、第一近紅外反射層、第二近紅外反射層、過渡層、第二抗反射層、過渡層、第三近紅外反射層、第四近紅外反射層、過渡層、第三抗反射層、保護層和氖吸收粘合劑層，復合涂層上設有離型膜。
2.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：所述第一抗反射層為InSnOx膜層結構，InSnOx膜層厚度為20-40nm，InSnOx膜層中，0<x<3。
3.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：所述過渡層均為TiOx膜層，厚度為1-5nm，TiOx膜層中，0<x<2。
4.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：所述第一近紅外反射層和第三近紅外反射層為金屬Ag層，厚度為4-10nm。
5.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：所述第二近紅外反射層和第四近紅外反射層為金屬Al層，厚度為4-10nm。
6.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：所述第二抗反射層包括摻雜鋁的氧化鋅、InSnOx或InSnOx膜層結構，InSnOx膜層厚度為40-80nm，摻雜鋁的氧化鋅膜層厚度為5-15nm。
7.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：所述第三抗反射層包括摻雜鋁的氧化鋅、InSnOx或InSnOx膜層結構，InSnOx膜層厚度為20-40nm，摻雜鋁的氧化鋅膜層厚度為5-15nm。
8.根據權利要求6或7所述的直貼膜，其特征在于：所述摻雜鋁的氧化鋅膜層中，摻雜鋁的重量不大于氧化鋅重量的5%。
9.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：所述保護層為SiOx膜層，厚度為5-15nm，SiOx膜層中，0<x<2。
10.根據權利要求1所述的直貼膜，其特征在于：氖吸收粘合劑層厚度為15μm。
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