[發明專利]CMP用研磨液以及研磨方法

有效

• 申請號: 201210225793.8
• 申請日: 2009-04-16
• 公開（公告）號: CN102768954A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發明（設計）人: 筱田隆;田中孝明;金丸真美子;天野倉仁
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105;H01L21/321;B24B37/04;C09G1/02;C09K3/14
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;於毓楨

1.一種CMP用研磨液的應用，其特征在于，所述CMP用研磨液用于將基板中的阻擋金屬和層間絕緣膜的一部分除去的研磨，所述基板具有：表面上具有凹部和凸部的所述層間絕緣膜、對所述層間絕緣膜沿著表面進行覆蓋的所述阻擋金屬的層、填充所述凹部且覆蓋所述阻擋金屬的導電性物質層，

所述CMP用研磨液含有介質和分散在所述介質中的膠態二氧化硅粒子，所述膠態二氧化硅粒子滿足下面（1）～（3）的條件：

（1）從通過掃描電子顯微鏡觀察所述膠態二氧化硅粒子得到的圖像中選擇任意的20個粒子，所述20個粒子的二軸平均一次粒徑（R₁）為35～55nm；

（2）具有與在所述（1）中求得的二軸平均一次粒徑（R₁）相同粒徑的正球體的比表面積計算值為S₀，通過BET法測定的所述膠態二氧化硅粒子的比表面積為S₁，用S₀去除S₁所得到的值S₁/S₀為1.20以下；

（3）在CMP用研磨液中，通過動態光散射方式粒度分布計測定的所述膠態二氧化硅粒子的二次粒徑（Rs）與在所述（1）中求得的二軸平均一次粒徑（R₁）的比（締合度：Rs/R₁）為1.30以下。

2.一種CMP用研磨液的應用，其特征在于，所述CMP用研磨液用于包含第1研磨工序和第2研磨工序的研磨方法中的所述第2研磨工序，

所述第1研磨工序為研磨基板的導電性物質層使得凸部的阻擋金屬露出的工序，所述基板具有：表面上具有凹部和所述凸部的層間絕緣膜、對所述層間絕緣膜沿著表面進行覆蓋的所述阻擋金屬的層、填充所述凹部且覆蓋所述阻擋金屬的所述導電性物質層，

所述第2研磨工序為至少研磨阻擋金屬以及凹部的導電性物質層的工序，

所述CMP用研磨液含有介質和分散在所述介質中的膠態二氧化硅粒子，所述膠態二氧化硅粒子滿足下面（1）～（3）的條件：

（1）從通過掃描電子顯微鏡觀察所述膠態二氧化硅粒子得到的圖像中選擇任意的20個粒子，所述20個粒子的二軸平均一次粒徑（R₁）為35～55nm；

（2）具有與在所述（1）中求得的二軸平均一次粒徑（R₁）相同粒徑的正球體的比表面積計算值為S₀，通過BET法測定的所述膠態二氧化硅粒子的比表面積為S₁，用S₀去除S₁所得到的值S₁/S₀為1.20以下；

（3）在CMP用研磨液中，通過動態光散射方式粒度分布計測定的所述膠態二氧化硅粒子的二次粒徑（Rs）與在所述（1）中求得的二軸平均一次粒徑（R₁）的比（締合度：Rs/R₁）為1.30以下。