[發(fā)明專利]電子標(biāo)簽中調(diào)制負(fù)載電壓的系統(tǒng)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210225644.1
• 申請(qǐng)日: 2012-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN103530671A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾維亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號(hào): G06K19/067
• 分類號(hào): G06K19/067
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及射頻技術(shù)領(lǐng)域，具體是電子標(biāo)簽中調(diào)制負(fù)載電壓的系統(tǒng)。

背景技術(shù)

射頻識(shí)別是當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的非接觸式自動(dòng)目標(biāo)識(shí)別技術(shù)之一，其具有非接觸、讀寫靈活、速度快、安全性高等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。現(xiàn)有射頻識(shí)別系統(tǒng)中閱讀器和電子標(biāo)簽天線之間的耦合很弱，閱讀器天線上接收的信號(hào)的電壓波動(dòng)比閱讀器的輸出電壓小，如13.56MHz的系統(tǒng)，當(dāng)閱讀器天線電壓大約為100V時(shí)，只能得到大約10mv的有效信號(hào)。為了使閱讀器檢測(cè)出這些很小電壓的變化，現(xiàn)有閱讀器上電路設(shè)計(jì)復(fù)雜，這就增加了閱讀器的體積和成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，且能提高閱讀器天線感應(yīng)電壓的電子標(biāo)簽中調(diào)制負(fù)載電壓的系統(tǒng)。

本發(fā)明的目的主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：電子標(biāo)簽中調(diào)制負(fù)載電壓的系統(tǒng)，包括四個(gè)NMOS晶體管、兩個(gè)PMOS晶體管及兩個(gè)非門，所述四個(gè)NMOS晶體管的源極均接地；所述四個(gè)NMOS晶體管包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管及第四NMOS晶體管，所述PMOS晶體管包括第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管，第一PMOS晶體管源極與第三NMOS晶體管漏極連接，第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管及第二PMOS晶體管三者的柵極均連接在第一PMOS晶體管源極和第三NMOS晶體管漏極之間的線路上，所述第二PMOS晶體管源極與第四NMOS晶體管漏極連接，第一PMOS晶體管柵極連接在第二PMOS晶體管源極和第四NMOS晶體管漏極之間的線路上；所述非門包括第一非門和第二非門，所述第二非門的輸入端與第一非門的輸出端連接，第二非門的輸出端與第四NMOS晶體管柵極連接，所述第三NMOS晶體管柵極與第一非門和第二非門之間的線路連接。

所述第一NMOS晶體管的漏極連接有第一電阻，所述第二NMOS晶體管的漏極連接有第二電阻。本發(fā)明在應(yīng)用時(shí)第一電阻相對(duì)連接第一NMOS晶體管的漏極端的另一端為一個(gè)射頻接入點(diǎn)，第二電阻相對(duì)連接第二NMOS晶體管的漏極端的另一端為一個(gè)射頻接入點(diǎn)，本發(fā)明在應(yīng)用時(shí)兩個(gè)射頻接入點(diǎn)均連接在電子標(biāo)簽的天線上。

所述第一非門的輸入端連接有數(shù)據(jù)接收端口。本發(fā)明的數(shù)據(jù)接收端口在應(yīng)用時(shí)來接收電子標(biāo)簽發(fā)送的數(shù)據(jù)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明包括四個(gè)NMOS晶體管、兩個(gè)PMOS晶體管、兩個(gè)非門及兩個(gè)電阻，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，便于實(shí)現(xiàn)，成本低，其中，四個(gè)NMOS晶體管中的第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管形成負(fù)載調(diào)制開關(guān)管，第一電阻和第二電阻為調(diào)制電阻，第一電阻和第二電阻并聯(lián)到電子標(biāo)簽天線兩端，第一非門的輸入端接收到低電平時(shí)，第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管判斷，天線工作電流不變，第一非門的輸入端接收到高電平時(shí)，第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管導(dǎo)通，天線等效負(fù)載電阻降低，天線電流增大、感應(yīng)電壓降低，如此，閱讀器天線的感應(yīng)電壓升高，通過本發(fā)明能避免在閱讀器上增設(shè)識(shí)別小電壓信號(hào)的電路，節(jié)省閱讀器成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中附圖標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的名稱為：N1—第一NMOS晶體管，N2—第二NMOS晶體管，N3—第三NMOS晶體管，N4—第四NMOS晶體管，P1—第一PMOS晶體管，P2—第二PMOS晶體管，Data—數(shù)據(jù)接收端口，1—第一非門，2—第二非門，R1—第一電阻，R2—第二電阻。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例：