[發(fā)明專利]電子標(biāo)簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210225620.6
• 申請(qǐng)日: 2012-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN103530675A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾維亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都市宏山科技有限公司
• 主分類號(hào): G06K19/077
• 分類號(hào): G06K19/077
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.電子標(biāo)簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于：包括第一電阻（R1）、第二電阻（R2）及第一NMOS管（N1），所述第一電阻（R1）兩端分別與第二電阻（R2）和第一NMOS管（N1）漏極連接，第一NMOS管（N1）的源極接地，所述第二電阻（R2）相對(duì)連接第一電阻（R1）端的另一端與第一NMOS管（N1）柵極連接；所述第一NMOS管（N1）漏極與第一電阻（R1）之間的線路上連接有直流電壓輸入線（1），所述第二電阻（R2）與第一電阻（R1）之間的線路上連接有直流電壓輸出線（2）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于：還包括第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）及第四NMOS管（N4），所述第二NMOS管（N2）、第三NMOS管（N3）及第四NMOS管（N4）三者的柵極均連接在第一電阻（R1）連接第一NMOS管（N1）漏極的一端上，所述第二NMOS管（N2）漏極與第一NMOS管（N1）柵極和第二電阻（R2）之間的線路連接，第三NMOS管（N3）的源極和漏極分別與第四NMOS管（N4）漏極和第二NMOS管（N2）源極連接，第四NMOS管（N4）源極接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子標(biāo)簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于：所述直流電壓輸出線（2）上連接有第一電容（C1），所述第一電容（C1）相對(duì)連接直流電壓輸出線（2）端的另一端與第一NMOS管（N1）源極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3所述的任一種電子標(biāo)簽的高頻接口中泄放電壓的穩(wěn)壓器，其特征在于：所述第二電阻（R2）為可調(diào)電阻。