[發明專利]一種可抗噪聲干擾的高側柵驅動電路有效
| 申請號： | 201210224755.0 | 申請日： | 2012-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN102769454A | 公開（公告）日： | 2012-11-07 |
| 發明（設計）人： | 祝靖;盧云皓;錢欽松;孫偉鋒;陸生禮;時龍興 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H03K19/003 | 分類號： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 噪聲 干擾 高側柵 驅動 電路 | ||
1.一種可抗噪聲干擾的高側柵驅動電路，包括可抗共模噪聲干擾的高壓電平位移電路（1），脈沖濾波電路（2），RS觸發器（3），輸出驅動級電路（4），其中可抗共模噪聲干擾的高壓電平位移電路（1）的輸入由低壓側脈沖產生電路提供，其輸出作為脈沖濾波電路（2）的輸入，脈沖濾波電路（2）的輸出信號經過RS觸發器（3）進入輸出驅動級電路（4），輸出驅動級電路（4）輸出驅動信號控制外部功率管的開關，其特征在于，所述可抗共模噪聲干擾的高壓電平位移電路（1）由LDMOS管LDM1，LDMOS管LDM2，電容C1，電容C2，PMOS管M1、PMOS管M2，電阻RD1，電阻RD2，電阻RD3，電阻RD4，齊納二極管D1，齊納二極管D2，齊納二極管D3，齊納二極管D4，齊納二極管D5，齊納二極管D6，反相器INV1、反相器INV2，與非門NAND1組成，LDMOS管LDM1的柵端接前級的輸出端，LDMOS管LDM1的漏端接電阻RD2的下端，同時接齊納二極管D3的陽極，LDMOS管LDM1的源端接電源地COM，LDMOS管LDM2的柵端接前級的輸出端，LDMOS管LDM2的漏端接電阻RD4的下端，同時接齊納二極管D6的陽極，LDMOS管LDM2的源端接電源地COM，電阻RD2的上端接電阻RD1的下端，同時接齊納二極管D1的陽極，并且接反相器INV1的輸入端，電阻RD4的上端接電阻RD3的下端，同時接齊納二極管D4的陽極，并且接反相器INV2的輸入端，電阻RD1的上端接高側電源電壓VB，電阻RD3的上端接高側電源電壓VB，齊納二極管D3的陽極接電容C1的上端，齊納二極管D3的陰極接齊納二極管D2的陽極，齊納二極管D2的陰極接齊納二極管D1的陽極，齊納二極管D1的陰極接高側電源電壓VB，齊納二極管D6的陽極接電容C2的上端，齊納二極管D6的陰極接齊納二極管D5的陽極，齊納二極管D5的陰極接齊納二極管D4的陽極，齊納二極管D4的陰極接高側電源電壓VB，電容C1的下端接電源地COM，電容C2的下端接電源地COM，反相器INV1的輸出端和反相器INV2的輸出端接與非門NAND1的輸入端，與非門NAND1的輸出端接PMOS管M1的柵端，并同時接PMOS管M2的柵端，PMOS管M1的源端接電阻RD2的上端，PMOS管M1的漏端接電阻RD2的下端，PMOS管M2的源端接電阻RD4的上端，PMOS管M2的漏端接電阻RD4的下端，同時電阻RD1和電阻RD3的阻值小于電阻RD2和電阻RD4的阻值，反相器INV1和反相器INV2的翻轉電平高于后級脈沖濾波電路（2）的輸入翻轉電平。
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