[發明專利]場發射電子器件有效
| 申請號: | 201210224521.6 | 申請日: | 2010-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN102768930A | 公開(公告)日: | 2012-11-07 |
| 發明(設計)人: | 柳鵬;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01J31/12 | 分類號: | H01J31/12;H01J29/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 電子器件 | ||
1.一種場發射電子器件,包括:
一絕緣基底具有一表面;
多個行電極引線與多個列電極引線分別平行且間隔設置于所述絕緣基底的表面,該多個行電極引線與多個列電極引線相互交叉設置定義多個交叉處,所述行電極引線與列電極引線在交叉處電絕緣設置;以及
多個電子發射單元設置于絕緣基底表面,且每個電子發射單元對應設置于一個交叉處,
其特征在于,所述每個電子發射單元進一步包括:
一第二電極與所述列電極引線電連接;
一第一電極與該第二電極間隔設置且至少部分環繞所述第二電極設置,該第一電極與所述行電極引線電連接;以及
多個電子發射體設置于所述第一電極和所述第二電極中的至少一個電極的遠離絕緣基底的表面。
2.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述多個電子發射體的一端與第一電極電連接,另一端與第二電極間隔設置且向第二電極延伸,所述電子發射體環繞所述第二電極設置。
3.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述多個電子發射體的一端與第二電極電連接,另一端與第一電極間隔設置且向第一電極延伸。
4.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述多個電子發射體分別設置于所述第一電極和所述第二電極的表面且相對設置,相對的電子發射體之間存在間隙。
5.如權利要求4所述的場發射電子器件,其特征在于,所述場發射電子器件工作時,向多個行電極引線和多個列電極引線接入交流電壓。
6.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述第一電極與所述列電極引線電絕緣,所述第二電極與所述行電極引線電絕緣。
7.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述第一電極與所述行電極引線為一體成型結構,所述第二電極與所述列電極引線為一體成型結構。
8.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述電子發射體選自硅線、碳納米管、碳纖維及碳納米管線中的一種或多種。
9.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述多個電子發射體與所述絕緣基底間隔設置,且沿著平行于絕緣基底表面的方向延伸。
10.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,進一步包括一第三電極與所述絕緣基底平行且間隔設置。
11.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述第一電極為框形,且全部環繞所述第二電極設置。
12.如權利要求2所述的場發射電子器件,其特征在于,所述多個電子發射體平行排列,每一電子發射體的一端與第一電極電連接,另一端指向第二電極的表面,作為電子發射端。
13.如權利要求12所述的場發射電子器件,其特征在于,進一步包括一熒光粉層,設置于所述第二電極遠離絕緣基底的表面。
14.如權利要求13所述的場發射電子器件,其特征在于,所述每一電子發射體的電子發射端懸空設置于熒光粉層的上方。
15.如權利要求13所述的場發射電子器件,其特征在于,所述每一電子發射體的電子發射端與第二電極之間的距離為10微米~500微米。
16.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述多個電子發射體通過第一電極或第二電極與絕緣基底間隔一定距離設置。
17.如權利要求1所述的場發射電子器件,其特征在于,所述多個電子發射體設置在同一平面。
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