[發(fā)明專(zhuān)利]氣體內(nèi)循環(huán)型熱絲CVD金剛石膜生長(zhǎng)裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210224334.8
• 申請(qǐng)日: 2012-07-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102719804A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝二慶;滕鳳;龔成師;張鵬;張國(guó)志
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘭州大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/27
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/27;C23C16/48
• 代理公司: 蘭州中科華西專(zhuān)利代理有限公司 62002
• 代理人: 李艷華

1.?氣體內(nèi)循環(huán)型熱絲CVD金剛石膜生長(zhǎng)裝置，其特征在于：該裝置包括內(nèi)設(shè)反應(yīng)腔的密閉真空室；所述反應(yīng)腔內(nèi)壁頂端設(shè)有風(fēng)扇（4），該風(fēng)扇（4）的下方設(shè)有多根并排直鎢絲構(gòu)成的熱絲陣列（1）；所述熱絲陣列（1）的兩端接直流電，其下方設(shè)有襯底盤(pán)（2），該襯底盤(pán)（2）上設(shè)有熱電偶（3）；所述風(fēng)扇（4）的側(cè)上方的所述真空室外壁設(shè)有進(jìn)氣口（5）；所述真空室外壁側(cè)下方設(shè)有抽氣口（6）。

2.如權(quán)利要求1所述的氣體內(nèi)循環(huán)型熱絲CVD金剛石膜生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述進(jìn)氣口（5）的進(jìn)氣流量和所述抽氣口（6）的抽氣流量均為0~200?sccm。