[發(fā)明專利]TFT陣列基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210224180.2
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN103296021A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾章和;錢棟;鐘輝;楊金金
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有抗靜電的TFT陣列基板法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器具有低電壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點，在當(dāng)前的顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。其已被廣泛應(yīng)用于電子計算機、電子記事本、移動電話、攝像機、高清電視機等電子設(shè)備中。

薄膜晶體管液晶顯示器包括對盒而成的陣列基板和彩膜基板，以及充滿在陣列基板和彩膜基板之間的間隙內(nèi)的液晶層。所述薄膜晶體管液晶顯示器顯示圖像的基本原理是：通過在所述陣列基板和彩膜基板上施加作用于液晶層上的電場，控制所述液晶層的液晶分子的取向，從而控制穿透過液晶層的液晶分子的光線的多少，即達(dá)到調(diào)制通過液晶層的光強的目的。

其中，薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板的形成過程通常包括：提供玻璃基板，在所述玻璃基板上形成各功能膜層/半導(dǎo)體器件。而為了保證生產(chǎn)效率，通常，剛開始形成的TFT陣列基板(通常也稱為sheet，為了與最終用于薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板相區(qū)分，此處稱為TFT陣列基板)將經(jīng)過切割而形成陣列基板(通常也稱為panel，此處即為最終與彩膜基板對盒的器件)。當(dāng)然，當(dāng)TFT陣列基板(sheet)不需要切割時，其也就是陣列基板(panel)。

然而，在半導(dǎo)體器件的制造過程中以及使用時，靜電放電(Electro?Static?Discharge，ESD)是一種常見的現(xiàn)象，靜電放電會導(dǎo)致器件的擊穿或者是其喪失工作性能。薄膜晶體管液晶顯示器在制造過程中產(chǎn)生的靜電電荷極易聚集在玻璃的陣列基板及彩膜基板上，并且，靜電電荷能夠施加到各膜層上，從而產(chǎn)生嚴(yán)重的靜電放電損害，造成薄膜晶體管的失效；傳輸線的短路、斷路等問題，影響產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。

為此，現(xiàn)有技術(shù)中提出了在TFT陣列基板的非顯示區(qū)域設(shè)置接地線。具體請參考圖1，其為現(xiàn)有的TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，所述TFT陣列基板1包括顯示區(qū)域10及非顯示區(qū)域11，在所述非顯示區(qū)域11設(shè)置有接地線12，所述接地線12與驅(qū)動電路13連接。其中，所述接地線中的“地”通常被認(rèn)為是邏輯地，所述接地線12往往通過與固定電位連接，從而傳導(dǎo)靜電，進(jìn)而達(dá)到消除某一區(qū)域積聚的靜電的作用。在此，所述接地線12通過與驅(qū)動電路13連接而達(dá)到與固定電位連接。

上述TFT陣列基板1能夠一定程度上抑制靜電，減小靜電對器件的損傷，但是，當(dāng)靜電電能非常大時，仍將發(fā)生靜電放電現(xiàn)象，當(dāng)發(fā)生靜電放電之后，該接地線12也將失去其靜電放電的防護(hù)作用。同時，接地線12所設(shè)置的區(qū)域周圍通常還設(shè)置有很多驅(qū)動電路，當(dāng)不可避免的發(fā)生靜電放電時，將極易導(dǎo)致對驅(qū)動電路的損壞。因此，如何進(jìn)一步提高接地線的性能以及控制靜電放電現(xiàn)象產(chǎn)生的位置(即即使發(fā)生靜電放電，也使得發(fā)生靜電放電的區(qū)域遠(yuǎn)離驅(qū)動電路所在的區(qū)域)成了本領(lǐng)域亟待解決的一個難題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生靜電放電現(xiàn)象之后接地線將失效以及產(chǎn)生靜電放電現(xiàn)象的位置難以控制的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板，包括：設(shè)置于非顯示區(qū)域并部分環(huán)繞所述非顯示區(qū)域的接地線，所述接地線包括多個接地線段。

可選地，相鄰兩個接地線段分別與同一電阻連接。

可選地，所述接地線段的數(shù)量為2根，所述電阻的數(shù)量為1個。

可選地，所述電阻的電阻值在5～40千歐之間。

可選地，所述接地線由形成柵極及柵極線的第一金屬層形成。

可選地，所述接地線由形成源/漏極及數(shù)據(jù)線的第二金屬層形成

可選地，所述電阻由多晶硅層形成。

可選地，所述電阻由透明導(dǎo)電層形成。

可選地，還包括驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路位于顯示區(qū)域及接地線段之間的區(qū)域。

可選地，所述驅(qū)動電路包括集成在所述TFT陣列基板上的柵極驅(qū)動電路。

可選地，在所述TFT陣列基板未切割前，多個TFT陣列基板連接在一起，并且位于同一列的TFT陣列基板的接地線段也連接在一起。

在本發(fā)明提供的TFT陣列基板中，通過將接地線設(shè)置成多個接地線段，由此，當(dāng)其中一個接地線段發(fā)生靜電擊傷，造成線路損壞，從而失去靜電釋放功能時，其余接地線段仍舊能夠?qū)崿F(xiàn)靜電放電的防護(hù)功能，從而避免了發(fā)生靜電放電現(xiàn)象之后接地線將失效的問題，提高了TFT陣列基板的性能。