[發明專利]柔性掩模板的制備方法

無效

• 申請號: 201210224138.0
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102747319A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 祁瓊;熊聰;劉素平;馬驍宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種柔性掩模板的制備方法，包括：

在襯底上生長SiO₂層；

在所述SiO₂層上沉積聚合物層；

在所述聚合物層上形成鏤空掩模圖形；

將包含形成鏤空掩模圖形的聚合物層的襯底浸入氫氟酸與氟化氨的混合溶液，所述SiO₂層與該混合溶液反應，使形成鏤空掩模圖形的聚合物層從所述襯底上剝離下來，形成柔性掩模板。

2.根據權利要求1所述的柔性掩模板制備方法，其中，采用以下方式其中之一在聚合物層上形成鏤空掩模圖形：光刻法、等離子體刻蝕法和/或納米壓印法。

3.根據權利要求2所述的柔性掩模板制備方法，所述在聚合物層上形成鏤空掩模圖形的步驟包括：

采用納米壓印法在聚合物層上形成掩模圖形；

采用光刻法或等離子刻蝕法去除掩模圖形區域內殘余的聚合物材料，直至聚合物層貫穿。

4.根據權利要求1所述的柔性掩模板制備方法，其中，所述聚合物層為熱塑型納米壓印光刻膠。

5.根據權利要求4所述的柔性掩模板制備方法，其中，所述聚合物熱塑型納米壓印光刻膠選自于以下材料其中之一：

聚苯乙烯、聚酰亞胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯。

6.根據權利要求4所述的柔性掩模板制備方法，其中，所述聚合物熱塑型納米壓印光刻膠的厚度介于50μm至500μm之間。

7.根據權利要求1所述的柔性掩模板制備方法，其中，所述SiO₂層厚度介于100nm至500nm之間。

8.根據權利要求7所述的柔性掩模板制備方法，其中，所述將包含形成鏤空掩模圖形的聚合物層的襯底浸入氫氟酸與氟化氨的混合溶液步驟的工藝參數為：氫氟酸濃度為5wt％～20wt％，氟化氨濃度為5wt％～15％，浸泡時間為10s～30s。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的柔性掩模板制備方法，其中，采用以下方式其中之一在襯底上生長SiO₂層：熱氧化、PECVD和電子束蒸發。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的柔性掩模板制備方法，其中，所述襯底為以下材料其中之一：硅片、GaAs、Si₄N₃和ITO。