[發明專利]半導體存儲器、系統和半導體存儲器的操作方法

有效

• 申請號: 201210223886.7
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102855926A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 佐藤貴彥
• 申請（專利權）人: 富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: G11C11/4074
• 分類號: G11C11/4074
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 宋鶴

1.一種半導體存儲器，包括：

存儲單元，其被按照矩陣布置；

第一選擇單元，其響應于訪問存儲單元的訪問請求而選擇與布置在第一方向上的存儲單元線分別連接的第一信號線中的任何第一信號線；

第二選擇單元，其在第一選擇單元開始運行之后選擇與布置在第二方向上的存儲單元線分別連接的第二信號線中的任何第二信號線，所述第二方向與第一方向相交；

第一電壓生成單元，其生成將提供給第一選擇單元的第一電源電壓；

第二電壓生成單元，其在啟動信號處于激活狀態時生成將提供給第二選擇單元的第二電源電壓；

開關，其在短路信號處于激活狀態時使被提供以第一電源電壓的第一電源線和被提供以第二電源電壓的第二電源線互相短路；以及

電源電壓控制單元，其響應于訪問請求而激活啟動信號，在自啟動信號激活起經過預定時間之后激活短路信號，在基于訪問請求的訪問操作完成之后停用短路信號，并響應于短路信號的停用而停用啟動信號。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中，所述電源電壓控制單元在第二電源電壓達到第一電壓之后、第二選擇單元開始運行之前的時段內激活短路信號。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器，進一步包括：

命令控制單元，在接收訪問請求之后接收表示讀取操作或寫入操作的讀取/寫入請求，其中

所述第一選擇單元響應于訪問請求而開始運行，

所述第二選擇單元響應于讀取/寫入請求而開始運行，并且

所述電源電壓控制單元在第二電源電壓達到第一電壓之后、接收讀取/寫入請求之前的時段內激活短路信號。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中，所述電源電壓控制單元包括：

計數器，其對訪問請求之后的時鐘周期的數量進行計數；以及

檢測電路，在計數器進行了預定次數的計數時激活短路信號。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器，包括寄存器，該寄存器設置從內部電路開始運行的時間到內部電路輸出信號的時間的時段內時鐘周期的數量。

其中，所述電源電壓控制單元包括根據寄存器所設置的值而生成預定值的轉換電路。

6.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中，所述電源電壓控制單元包括延遲電路，該延遲電路在自啟動信號激活起經過預定時間之后激活短路信號。

7.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中，當所述電源電壓控制單元在訪問操作完成之后的預定時段內未接收訪問請求時，所述電源電壓控制單元停用短路信號。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中，所述第二選擇單元包括地址譯碼器，該地址譯碼器對為了選擇第二信號線而提供的地址信號進行譯碼。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中，所述第二選擇單元包括鎖存電路，該鎖存電路保持傳輸給第二信號線、輸入到存儲單元和從存儲單元輸出的數據信號。

10.一種系統，包括：

根據權利要求1所述的半導體存儲器；以及

控制對該半導體存儲器的訪問的控制器。

11.一種半導體存儲器的操作方法，所述半導體存儲器具有按照矩陣布置的存儲單元、響應于訪問存儲單元的訪問請求而選擇與布置在第一方向上的存儲單元線分別連接的第一信號線中的任何第一信號線的第一選擇單元、在第一選擇單元開始運行之后選擇與布置在與第一方向相交的第二方向上的存儲單元線分別連接的第二信號線中的任何第二信號線的第二選擇單元、以及在短路信號處于激活狀態時使為第一選擇單元提供第一電源電壓的第一電源線和為第二選擇單元提供第二電源電壓的第二電源線互相短路的開關，

所述方法包括：

生成將提供給第一選擇單元的第一電源電壓；

在接收到對存儲單元的訪問請求時激活啟動信號；

在啟動信號處于激活狀態時生成將提供給第二選擇單元的第二電源電壓；

在自啟動信號激活起經過預定時間之后激活短路信號；以及

在響應于訪問請求的訪問操作完成之后停用短路信號，并響應于短路信號的停用而停用啟動信號。

12.根據權利要求11所述的半導體存儲器操作方法，其中，所述短路信號在從第二電源電壓達到第一電壓的時間到第二選擇單元開始運行的時間的時段內被激活。